韓國芯片制造商SK海力士 (SK Hynix Inc.)與其全球同行一樣，基本上都是內部設計和生產半導體，包括高容量存儲器 (HBM)，不同于AI芯片，其需求正在爆炸式增長。

然而，對于下一代AI芯片HBM4，該公司計劃將芯片制造外包給代工廠或合同芯片制造商，最有可能的是臺灣半導體制造股份有限公司 (TSMC)。

進一步的是，這家韓國芯片制造商正在積極尋找頂尖人才，以推進自己的 HBM 技術并購外包。該公司的主要獵頭目標是誰？它的同城競爭對手三星電子公司。

SK海力士是來自行業頭羊三星的全球第二大芯片制造商，最近發布的重要招聘信息中有48個與 HBM 相關的職位有經驗。

SK 在招聘事中表示，公司正在尋找擁有 4 年以上工作經驗的芯片專家，通過改進代工工藝和測試邏輯芯片，提高 HBM 邏輯芯片的良率。

招聘事稱，所需能力包括徹底分析最新代工技術和開發代工設備的能力。

該公司特別希望招聘 9 名 FinFET 代工工藝的芯片工程師，FinFET 是一種可以提高半導體功率效率的技術。有意者必須擁有 10 年以上的工作經驗。

行業觀察人士表示，SK 海力士的招聘計劃引發了競爭對手對人才流失的擔憂，因為他們難以留住他們。

三星電子正處于高度備戰狀態，因為它違反了抵押貸款首次提高工資和改善工作條件的罷工。SK海力士的進步是全行業招聘的一部分，旨在提高技能工人，以利用人工智能熱潮，而人工智能熱潮正在消耗大量 HBM 等人工智能芯片。

盡管三星是全球最大的內存芯片制造商，但在 HBM 領域卻遠遠落后于SK海力士。

上周，三星正式成立了專門的 HBM 和先進芯片封裝團隊，以努力趕上SK海力士。

三星誓言今年將 HBM收益率提高三倍 ，并渴望通過全球第一大人工智能芯片設計商Nvidia Corp. 的優質測試。

業內人士稱，SK海力士需要用頂尖工程師來研發第六代HBM4，六月份計劃于明年開始量產，同時推薦開發和改進下一代3D DRAM芯片和內存處理（PIM）芯片。

今年4月，SK表示正與臺積電合作開發下一代AI芯片。SK海力士主導著對生成式AI計算至關重要的HBM的生產，而這款臺灣晶圓代工廠的先進封裝技術可幫助HBM芯片和圖形處理單元（GPU）高效協同工作。SK海力士表示，兩家公司將首先沿著提高HBM封裝最底部基片的性能。HBM通過使用一種稱為硅通孔 (TSV) 的加工技術將核心 DRAM 芯片堆棧在基片頂部而制成。基片連接到控制 HBM 芯片的 GPU。SK海力士表示，它已經使用消耗技術制造了最高可達第四代 DRAM 存儲器 HBM3E 的基片，但計劃在 HBM4 的基片上采用臺積電的先進邏輯工藝，并引入有限的空間內塞入更多功能。

兩家公司節省了合作優化 SK 海力士 HBM 與臺積電 2.5D 封裝工藝（稱為 CoWoS 技術）的集成，同時合作響應與 HBM 相關的常見客戶請求。

三星已為其新成立的HBM團隊增加了300名工程師，以開發HBM4芯片。作為僅次于臺積電的全球第二大晶圓代工企業，三星可以處理與HBM4相關的所有工藝，包括邏輯芯片設計、封裝和生產。三星副董事長全永鉉于5月執掌三星設備解決方案 (DS) 部門，該部門負責監管公司的芯片業務，他誓言在未來幾年超越HBM領域領導者SK海力士。

一位業內官員表示：“三星和SK海力士對AI芯片霸主地位的競爭正在升溫，首先想到的HBM4芯片方面。三星民眾的第一個挑戰是讓 Nvidia 批準其 HBM 芯片。”