臺積電在5月中旬舉行的歐洲技術研討會上透露，隨著在德國和日本新建晶圓廠以及在中國臺灣擴大產能，臺積電計劃到2027年將其特種工藝制程產能擴大50%。為實現這一目標，臺積電不僅需要轉換現有產能，還需要為此新建晶圓廠。臺積電同時公布下一個特殊制程節點：N4e，一種4nm級超低功耗工藝節點。

臺積電業務發展暨海外運營處副總裁張曉強（Kevin Zhang）表示，“過去臺積電總是對即將建成的晶圓廠進行預先審查再決定，但臺積電很長一段時間以來，第一次一開始就決定興建專為將來特殊工藝設計的晶圓廠，以滿足未來需求。未來4~5年，臺積電特殊工藝產能將增長至1.5倍，我們將擴大制造網絡的覆蓋范圍，以提高整個晶圓廠供應鏈的彈性。”

據悉，臺積電除了用于制造邏輯芯片N5、N3E等眾多節點，還為功率半導體、混合模擬I/O芯片和超低功耗應用（如物聯網）等應用提供一系列專用節點，這些工藝通常使用較成熟制程。

臺積電近年來擴張戰略的幾個目標，包括在中國臺灣以外地區設立新的晶圓廠，以及全面擴大產能，以滿足未來對各種工藝技術的需求。

據了解，截至目前，臺積電最先進的專用節點是N6e，即N7/N6的變體，支持0.4V、0.9V工作電壓。隨著N4e節點的推出，臺積電正在研究低于0.4V的電壓。臺積電目前尚未透露關于新節點的更詳細信息，預計明年將會有更多消息。