· 首款采用新技術的 STM32 微控制器將于 2024 下半年開始向部分客戶出樣片

· 18nm FD-SOI制造工藝與嵌入式相變存儲器(ePCM)組合，實現性能和功耗雙飛躍

2024年3月26日，中國-- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同開發，使嵌入式處理應用的性能和功耗實現巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數字外設。基于新技術的下一代 STM32 微控制器的首款產品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產。

意法半導體微控制器、數字IC和射頻產品部總裁Remi El-Ouazzane表示：“作為處于半導體行業前沿的創新企業，意法半導體率先為客戶帶來汽車級和航天級FD-SOI和PCM技術。我們的下一步行動是，從下一代 STM32 微控制器開始，讓工業應用開發者也能享受到這兩項先進技術帶來的諸多好處。”

技術優勢

與目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 技術相比，集成 ePCM 的18nm FD-SOI制造工藝極大地提高了關鍵的品質因數：

· 性能功耗比提高 50% 以上

· 非易失性存儲器 (NVM)密度是現有技術的2.5 倍，可以在片上集成容量更大的存儲器

· 數字電路密度是現有技術的三倍，可以集成人工智能、圖形加速器等數字外設，以及最先進的安全保護功能

· 噪聲系數改善 3dB，增強了無線 MCU 的射頻性能

該技術的工作電源電壓是3V，可以給電源管理、復位系統、時鐘源和數字/模擬轉換器等模擬功能供電，是20 納米以下唯一支持此功能的半導體工藝技術。

該技術的耐高溫工作、輻射硬化和數據保存期限已經過汽車市場的檢驗，能夠滿足工業應用對可靠性的嚴格要求。

FD-SOI和PCM技術詳情訪問意法半導體官網。

能為STM32 微控制器開發者和客戶帶來哪些益處？

這種具有成本競爭力的技術將給開發人員帶來新型的高性能、低功耗、無線 MCU。大存儲容量支持市場對邊緣人工智能處理、多射頻協議棧、無線更新和高級安全功能的日益增長的需求。高處理性能和大存儲容量將激勵目前正在使用微處理器開發產品的開發者轉向集成度更高且成本效益更高的微控制器。這項新技術將進一步提高超低功耗設備的能效，意法半導體的產品組合目前在這個市場處于優勢地位。

基于該技術的首款微控制器將集成ARM最先進的 ARM? Cortex?-M內核，為機器學習和數字信號處理應用帶來更強的運算性能。該產品將具有快速、靈活的外部存儲器接口、先進的圖形功能，并將集成眾多模擬和數字外設，還將有意法半導體最新MCU上已經引入的先進的經過認證的安全功能。