12 月 7 日，尼康官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布推出浸潤式 ArF 光刻機新品 NSR-S636E，將于明年 1 月開售。
據(jù)介紹，NSR-S636E 是尼康光刻系統(tǒng)中生產(chǎn)率最高的產(chǎn)品，是一款用于關(guān)鍵層的浸潤式光刻機。
以下內(nèi)容為來自尼康官網(wǎng)的介紹（自動翻譯）：
發(fā)展背景
隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，能夠更快地處理和傳輸大量數(shù)據(jù)的高性能半導(dǎo)體變得越來越重要。領(lǐng)先半導(dǎo)體性能的技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵推動因素是電路圖案小型化和 3D 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，而 ArF 浸沒式掃描儀對于這兩種制造工藝都至關(guān)重要。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體相比，3D 半導(dǎo)體制造過程中更容易發(fā)生晶圓翹曲和變形，因此需要比以往更先進的掃描儀校正和補償功能。
NSR-S636E ArF 浸沒式掃描儀采用增強型 iAS，可在曝光前執(zhí)行復(fù)雜的晶圓多點測量。該創(chuàng)新系統(tǒng)利用高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能，提供更高水平的覆蓋精度，同時保持最大的掃描儀吞吐量。掃描儀的整體輸出也比當(dāng)前一代系統(tǒng)高 10-15% ，從而優(yōu)化了尖端半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率。尼康繼續(xù)為領(lǐng)先的 IC 生產(chǎn)提供 NSR-S636E 等寶貴的解決方案，并支持?jǐn)?shù)字社會的發(fā)展。
主要優(yōu)點
在各種生產(chǎn)工藝（包括容易發(fā)生晶圓變形的 3D-IC）中均具有出色的性能
曝光前執(zhí)行晶圓多點測量的在線對準(zhǔn)站 (iAS) 的精度得到提高，從而提高了測量晶圓翹曲和扭曲等變形的精度。先進的測量和補償功能可提高工藝穩(wěn)健性并提供卓越的疊加性能，而不會影響生產(chǎn)效率。這些創(chuàng)新對于包括需要超高疊加精度的 3D-IC 在內(nèi)的各種制造工藝來說具有無價的價值，并將繼續(xù)開發(fā)以實現(xiàn)前所未有的半導(dǎo)體性能。
所有尼康半導(dǎo)體光刻系統(tǒng)中生產(chǎn)率最高
通過吞吐量的全面改進和日常生產(chǎn)力優(yōu)化，NSR-S636E ArF 浸入式掃描儀將整體產(chǎn)量比當(dāng)前型號提高了 10-15%。這是尼康半導(dǎo)體光刻系統(tǒng)整個歷史上最高的生產(chǎn)力水平。尼康致力于通過 NSR-S636E 等行業(yè)領(lǐng)先的解決方案繼續(xù)突破光刻技術(shù)的極限，以支持客戶在未來許多年的制造目標(biāo)。
尼康表示，隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，能夠更快地處理和傳輸大量數(shù)據(jù)的高性能半導(dǎo)體變得越來越重要。尖端半導(dǎo)體性能技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵推動因素是電路小型化和 3D 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，而 ArF 浸潤式光刻機對這兩種制造工藝都至關(guān)重要。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體相比，在 3D 半導(dǎo)體制造過程中更容易發(fā)生晶圓翹曲和失真，因此需要比以往任何時候都更先進的光刻機校正和補償能力。
