中國上海，2023年8月29日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。

　　類似上述的工業應用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品。然而，預計未來幾年內DC 1500V將得到廣泛應用，因此東芝發布了業界首款2200V產品。

　　MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導通電壓（傳感器）[2]。此外，它還具有較低的開通和關斷損耗，分別為14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗，用戶可采用模塊數量更少的兩電平電路取代傳統的三電平電路，有助于設備的小型化。

　　東芝將不斷創新，持續滿足市場對高效率和工業設備小型化的需求。

　　▲應用：

　　工業設備

　　-可再生能源發電系統（光伏發電系統等）

　　-儲能系統

　　-工業設備用電機控制設備

　　-高頻DC-DC轉換器等設備

　　▲特性：

　　-低漏極-源極導通電壓（傳感器）：

　　V_{DS（on）sense}＝0.7V（典型值）（I_D＝250A、V_GS＝＋20V、T_ch＝25℃）

　　-低開通損耗：

　　E_on＝14mJ（典型值）（V_DD＝1100V、I_D＝250A、T_ch＝150℃）

　　-低關斷損耗：

　　E_off＝11mJ（典型值）（V_DD＝1100V、I_D＝250A、T_ch＝150℃）

　　-低寄生電感：

　　L_sPN＝12nH（典型值）

　　▲主要規格：

　　注：

　　[1] 采樣范圍僅限于雙SiC MOSFET模塊。數據基于東芝截至2023年8月的調研。

　　[2] 測量條件：I_D＝250A、V_GS＝＋20V、T_ch＝25℃

　　[3] 測量條件：V_DD＝1100V、I_D＝250A、T_ch＝150℃

　　[4] 截至2023年8月，東芝對2300V Si模塊和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3開關損耗進行比較（2300V Si模塊的性能值是東芝根據2023年3月或之前發表的論文做出的預估）。

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