據(jù)彭博社11月23日?qǐng)?bào)道，中國上個(gè)月購買的芯片制造設(shè)備，比一年前下降27％，而10月的采購金額是兩年多以來的最低水平。

中國海關(guān)總署官網(wǎng)上星期五（11月18日）發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，10月中國共進(jìn)口半導(dǎo)體制造設(shè)備4226臺(tái)，進(jìn)口額約20億3700萬美元，與去年同期相比分別下降39．8％和23．1％。

根據(jù)彭博社對(duì)官方貿(mào)易數(shù)據(jù)的分析，10月份來自日本和美國等主要設(shè)備出口國的進(jìn)口量下降，而來自荷蘭的進(jìn)口則增加約一倍，而后者是光刻龍頭ASML的總部所在地。

半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率約36％

目前在國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)上，北方華創(chuàng)和中微公司綜合業(yè)務(wù)能力排在行業(yè)前端，按照營收上看市場(chǎng)占有率名列前茅。從三季報(bào)的業(yè)績(jī)來看，北方華創(chuàng)前三季度收入同比增長62．2％，凈利潤同比增長156．1％；中微公司前三季度收入同比增長45．92％，凈利潤3．25億元，同比增長123．91％。從半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域上，看雙方業(yè)務(wù)也有交叉，雙方都在薄膜沉積設(shè)備和刻蝕設(shè)備具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。

今年中報(bào)顯示，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備上市公司業(yè)績(jī)加速增長，從收入增速來看，拓荊科技的收入增長最快，達(dá)到365％，盛美上海、長川科技增速均在70％以上。

此外，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備上市公司訂單普遍高增長，合同負(fù)債大幅增長。截至2022年二季度末，設(shè)備公司前道設(shè)備的合同負(fù)債普遍延續(xù)增長趨勢(shì)，較年初增幅較大的是拓荊科技、芯源微、中微公司、北方華創(chuàng)。

據(jù)了解，天風(fēng)證券以2022年以來規(guī)模化公開招標(biāo)的5家晶圓廠為統(tǒng)計(jì)標(biāo)本，2022年1－7月份5家晶圓廠（華虹無錫、積塔半導(dǎo)體、福建晉華、華力集成和華虹宏力）合計(jì)完成國產(chǎn)設(shè)備招標(biāo)230臺(tái)，國產(chǎn)化率約36％。

當(dāng)前，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)的進(jìn)展中，最為突出的是：5項(xiàng)集成電路設(shè)備國產(chǎn)化率超過20％。國產(chǎn)化率最高的是去膠機(jī)，達(dá)74％；依次是清洗設(shè)備，為31％；氧化擴(kuò)散，29％；離子體干法刻蝕機(jī)，國產(chǎn)化率為22％；化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)，為21％。目前，國內(nèi)廠商在檢測(cè)設(shè)備、刻蝕設(shè)備、PVD和CVD設(shè)備、氧化擴(kuò)散設(shè)備等已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了部分國產(chǎn)替代，特別是檢測(cè)設(shè)備替代速度較快。

設(shè)備板塊空間廣闊

中國作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要參與者，半導(dǎo)體設(shè)備增速顯著高于全球。根據(jù) SEMI統(tǒng)計(jì)，2021 年銷售額增長 58％，達(dá)到 296 億美元，占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的 28．86％，第二次成為全球半導(dǎo)體設(shè)備的最大市場(chǎng)。

目前全球半導(dǎo)體以美國和日本廠商為主，包括美國的應(yīng)用材料（AMAT）和 泛林半導(dǎo)體（Lam Research），日本的東京電子（TEL）和日立高新（HITACHI）等國際知名企業(yè)。除此以外，荷蘭的ASML憑借光刻機(jī)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色。

據(jù)IC TIME分析，國內(nèi)特別是面向先進(jìn)制程的光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等核心設(shè)備還處于相對(duì)空白。國內(nèi)具備光刻機(jī)生產(chǎn)能力的企業(yè)主要是上海微電子裝備有限公司。

國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司經(jīng)過多年的技術(shù)攻關(guān)以及國家項(xiàng)目的支持，目前能滿足下游晶圓廠商大部分成熟制程（28nm及以上的邏輯芯片等）以及少部分先進(jìn)制程的需求。在28nm及以上的邏輯芯片、128層以下的NAND存儲(chǔ)芯片以及20nm以上的DRAM芯片的主要設(shè)備中，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商實(shí)現(xiàn)了工藝、技術(shù)和產(chǎn)品的大部分覆蓋，包括刻蝕、薄膜沉積、清洗、涂膠顯影等環(huán)節(jié)。

國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)等設(shè)備市場(chǎng)具備一定的市場(chǎng)份額優(yōu)勢(shì)，在沉積、CMP以及測(cè)試機(jī)等核心工藝環(huán)節(jié)已與海外傳統(tǒng)廠商形成了初步的技術(shù)對(duì)標(biāo)。以北方華創(chuàng)等為代表的國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司不斷完善產(chǎn)品的平臺(tái)化布局。另一方面，以拓荊科技、華海清科等為代表國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司在各自專長的領(lǐng)域內(nèi)已占據(jù)了領(lǐng)先的供應(yīng)份額，不斷夯實(shí)技術(shù)和市場(chǎng)壁壘。

國產(chǎn)替代仍需加足馬力

隨著摩爾定律趨近極限，極尖端的半導(dǎo)體設(shè)備至關(guān)重要且市場(chǎng)廣闊。半導(dǎo)體集成電路的前后道工藝都十分復(fù)雜，涉及多種工藝和設(shè)備。盡管國內(nèi)有北方華創(chuàng)、中微公司等，但是實(shí)際上不同工藝、不同節(jié)點(diǎn)、不同產(chǎn)品，同類設(shè)備差別也很巨大。目前雖能滿足部分成熟制程（28nm以上）的需求，但是14nm以下先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)卻很少，還有很多東西需要補(bǔ)足。

當(dāng)下最為棘手的是光刻機(jī)設(shè)備的研發(fā)，雖說上海微電子等企業(yè)在光刻機(jī)領(lǐng)域正進(jìn)行不斷的技術(shù)攻關(guān)探索，但整體實(shí)力與國際龍頭還相距甚遠(yuǎn)。

除了光刻機(jī)之外，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備在各自領(lǐng)域的一些先進(jìn)制程環(huán)節(jié)存在短板，包括深溝槽的刻蝕設(shè)備、先進(jìn)的原子層沉積設(shè)備、量測(cè)設(shè)備等。國產(chǎn)高端晶圓制造設(shè)備嚴(yán)重不足，光刻機(jī)之外的薄膜沉積設(shè)備、CMP設(shè)備、離子注入機(jī)等前道設(shè)備也都被國外壟斷。

當(dāng)前由于外部諸多限制，中國先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張受限，目前，產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)都在嘗試攻關(guān)半導(dǎo)體核心設(shè)備，但半導(dǎo)體設(shè)備要做到完全國產(chǎn)替代還是有一定難度，比如，光刻機(jī)自身涉及到光源、鏡頭等多個(gè)零組件的難題是一個(gè)系統(tǒng)工程；人才方面，美國、日本、歐洲等地半導(dǎo)體設(shè)備人才優(yōu)勢(shì)大，各國都在以提高薪資和補(bǔ)貼的方式吸引及留住人才，而人才的吸引是半導(dǎo)體行業(yè)的核心攻堅(jiān)戰(zhàn)，國產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)，在人才上有一定阻礙。

更多信息可以來這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<