在先進芯片工藝上，美國廠商也落后于臺積電、三星了，這兩家量產或者即將量產的7nm、5nm及3nm遙遙領先，然而美國還有更多的計劃，并不一定要在先進工藝上超越它們，甚至準備逆行，復活90nm工藝，制造出來的芯片性能是7nm芯片的50倍。
美國晶圓廠SkyWater日前宣布獲得美國國防部下屬的DARPA的進一步資助，后者將給予2700萬美元以推動開發(fā)90nm戰(zhàn)略抗輻射 (RH90) FDSOI 技術平臺，總的投資計劃高達1.7億美元。
相比臺積電、三星、Intel等半導體公司，SkyWater不僅規(guī)模小，而且資歷也淺，2017年成立，晶圓廠主要來源于賽普拉斯半導體公司的芯片制造部門，工藝并不先進，主要生產130nm及90nm，部分先進芯片才到65nm級別。
然而他們卻得到了美國DARPA的青睞，成立沒多久就開始參與后者的ERI電子復興計劃，該計劃在5年內投資15億美元，推動美國半導體行業(yè)發(fā)展。
ERI計劃中，SkyWater并沒有追求技術更強但更昂貴的先進工藝，而是用90nm工藝制造3D SoC芯片，通過集成電阻RAM、碳納米管等材料實現(xiàn)更強的性能，性能可達7nm芯片的50倍。
當然，這些技術現(xiàn)在還沒有實現(xiàn)完全突破，畢竟這樣的做法是之前沒有的，一旦成功了，可能是改變半導體行業(yè)規(guī)則的新技術。
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。