近年來世界能源消耗加劇以及電力需求的不斷增加，大力開發新型電力電子器件已成為新趨勢。隨著科技的不斷進步，所有的電力電子器件都有了飛速的發展，而在這些電力電子器件中發展速度最快的無疑是IGBT；

IGBT具有耐壓高、導通壓降低、驅動電路簡單、高頻率、易于開關等優良性能，適用于直流電壓為600V及以上的變流系統如：UPS電源、光伏逆變器、充電樁、BMS、儲能、變頻器、照明電路、牽引傳動等領域。

    隨著以MOSFET、IGBT為代表的電壓控制型器件的出現，電力電子技術便從低頻迅速邁入了高頻電力電子階段，并使電力電子技術發展得更加豐富，同時為高效節能、省材 、新能源、自動化及智能化提供了新的機遇。

　　IGBT/wafer將MOSFET和GTR的優點集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好；電壓驅動（MOSFET 的優點，克服GTR缺點）；又具有通態壓降低，可以向高電壓、大電流方向發展（GTR的優點，克服MOSFET的缺點）等綜合優點，因此IGBT發展很快，在開關頻率大于1KHz，功率大于5KW的應用場合具有優勢。

　　IGBT的結構多種多樣分為穿通型，非穿通型，劃分依據為：臨界擊穿電壓下P base-N drift結耗盡層的擴展是否穿透了N-基區；

　　技術層面：

　　IGBT芯片經歷了一系列的迭代過程從PT技術向NPT技術，再到現在FS技術的升級，使芯片變薄，降低了熱阻，并提升了Tj；

　　IEGT、CSTBT和MPT的引入；持續降低了Vce，并提高了功率密度；通過表面金屬及鈍化層優化，可滿足車用的高可靠性要求。

　　FS工業技術簡介：

　　FS工藝它同時具有PT-IGBT和NPT-IGBT的優點，至今一直居于主導地位；由工采網代理的臺灣茂矽IGBT晶圓片均采用了FS技術。

　　FS生產工藝以輕摻雜N- 區熔單晶硅作為起始材料，完成正面元胞制作之后再進行背面工藝。在硅片減薄之后，首先在硅片的背面注入磷，形成N+ buffer, 最后注入硼，形成P+ collector, 激活雜質后再淀積金屬鋁。

　　FS相對于NPT而言，背面增加了N型注入、硅片更薄，硅片在加工過程中的碎片率上升。更薄的N-區電阻小，使VCESAT更低；更薄N-層導通時存儲的過剩載流子總量少，使關斷時間及關斷損耗減少。

　　IGBT晶圓片具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等諸多優點，不同電壓可作用于：

　　1、600V逆導型FS-IGBT主要應用于消費電子，白色家電，汽車電子等中低壓消費領域。

　　2、600－1700V可應用于:EV／HEV 、馬達電機相關應用、工業控制／變頻、白色家電、光伏系統、UPS

　　3、高壓1700v－6500v下可應用于：軌道運輸、電網、風電系統

　　強強聯手臺灣茂矽電子IGBT晶圓產品7月正式在ISweek工采網上架，其推出的三款FS工藝6寸1200V IGBT晶圓片：1、25A/P81MV020NL0011P；2、40A/P81MV022NL0013P； 3、15A/P81MV023NL0014P；都具備1200V壕溝和現場停止技術、低開關損耗、正溫度系數、簡單的平行特性。

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