2004年，已經爬到“硅谷頂峰”的尹志堯博士回國創業，除了18位懷著同樣理想的資深工程師外，他沒有帶回任何的資料。

之所以選擇空手而歸，是因為尹志堯博士從一開始就預料了這次創業必將“兇險萬分”，他要回國創立屬于中國自己的刻蝕機公司。在當時，中國刻蝕機行業仍是一片空白，想要做到零的突破，勢必會遭到打壓，稍有不慎就會被“專利”鎖喉。

得益于精英化的團隊配置，尹志堯博士創建的中微公司很快就在2007年推出了自己第一款刻蝕機，并獲得客戶的首肯。然而就在中微首款產品推出后不久，公司就遭到多次“專利訴訟”，好在尹志堯博士此前做的準備充足，才幫助中微接連贏下了三場專利官司。

時至今日，中微公司的刻蝕機產品已經突破5nm制程，成功躋身世界最大半導體公司臺積電的供貨商名單，并與其共同研發下一代技術。

2020年Q2季度，全球前十名半導體芯片代工廠商合計市場份額達95．6％，呈現高度集中的態勢。在前十名的公司中，中微拿下了七家公司，合計市場份額高達73．9％。

雖然中微并非這些公司的唯一供應商，但能夠進入如此多芯片代工企業的供應商名單，已經足以說明中微公司的核心技術力。

在半導體產業鏈被頻頻“卡脖子”的當下，中微公司憑借完全自主的技術躋身國際一線陣營，這背后的故事值得我們深思。

通過復盤中微刻蝕機的崛起之路，我們發現中國半導體行業目前存在“三座大山”。究竟長期制約中國半導體發展的“三座大山”是什么？完全自主的中微又是如何翻山越嶺的呢？

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第一座大山：人才虹吸效應

半導體產業屬于高端制造業，對專業人才依賴性極強。中國半導體遲遲無法突圍，其最核心的原因正在于人才的短缺，這也是壓制中國半導體發展的“第一座大山”。

人才匱乏并非因為中國人不夠優秀，而是我們的專業人才并未為我們所用。美國是當今世界科研體系最完美的國家，無論是“科研氛圍”還是“個人待遇”，其都有著無與倫比的優勢。全球科學家都以能夠融入美國科學界為目標，正是這種“人才虹吸效應”導致我國培養的頂尖人才往往不能為己所用。

尹志堯博士在接受采訪時曾向記者傾訴，自己在英特爾工作時，身邊負責科研的領導和同事幾乎都是華人，美國最尖端的研究組中，是從來不缺少華人的。

如何將我國高校培養出來的人才召回己用，已經成為我國半導體技術發展的關鍵。

正是因為深知人才的重要，尹志堯博士才會在不帶回任何財物的情況下，唯獨帶回了一眾滿懷理想的工程師，而人才恰恰成為中微公司破局的關鍵。

尹志堯博士初期帶回的工程師中，有15名跟隨創業，他們構成了中微公司的核心研究框架。中微公司后續所承擔的多項重大科研項目，幾乎都是由早期帶回的15個核心工程師所領導的。

半導體產業極為復雜，涉及項目規劃、產品設計、工藝開發等多個環節，不僅需要懂產業專家，還需要精通等離子體物理、射頻及微波學、結構化學、微觀分子動力學、光譜及能譜學、真空機械傳輸等相關學科的專業人員。

為了能夠吸引來自全世界的半導體設備專家，中微公司開創A股先河的采用“全員持股”的方式，有效的提升了關鍵技術人員的忠誠度和歸屬感，最大限度的降低關鍵技術人員流失的風險。

中微公司招股書顯示，在上市的時候，中微公司共有845名員工直接或間接持有公司約18．25％的股份。其中，創始人尹志堯在內的初創團隊持股3．25％，員工持股平臺南昌智微、中微亞洲、Grenade、Bootes、勵微投資、芃徽投資共持有公司15％的股份。

在未來很長一段時間中，“人才虹吸效應”都將是制約中國半導體產業發展的絆腳石。中微公司用全員持股的方式，一定程度上增加了自身對人才的吸引力，但這卻并不能根治這一難題。

“科研氛圍”是一個很玄幻的詞匯，它并沒有實質的具象，而是一種虛擬的感受。如何增加我國的“科研氛圍”，勢必要打破校園的“象牙塔”，讓學術真正的走進基層企業，才能在實踐中得出真知，這也是中國產業根本上趕超世界強國的唯一途徑。

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第二座大山：專利的枷鎖

中國半導體產業并非不具備制造能力，而是受專利所限，無法合法生產。從華為到中芯國際，無一不被專利技術“卡脖子”。

就像絕大多數中國企業那樣，2007年中微公司推出首臺CCP刻蝕機后，就遭到美國應用材料公司的起訴。

應用材料起訴中微的理由很簡答，因為尹志堯博士曾在應用材料做到總公司副總裁，領導和開發了全球一半以上的刻蝕機產品。應用材料想當然的認為，中微公司用的是他們的技術。

但實際上，在回國的時候，尹志堯博士和團隊就做好了專利攻堅的打算，不僅沒有使用任何應用材料的技術專利，甚至連技術構想都是重新研究的。理所當然的，中微公司贏下了與應用材料的官司，在2010年雙方最終達成和解。

然而，應用材料的專利訴訟僅僅是個開始，2009年和2017年，中微公司分別遭到泛林半導體和維易科的專利訴訟，但最終中微公司都以勝訴告終。

三次專利戰的勝利，足以見證中微硬實力的含金量，而同時也從側面反映出中國半導體行業的處境。每當我們的公司在行業中有所突破時，都會遭受到來自于歐美國家的專利打壓，無論是否侵權。

正因為了解到專利技術的重要性，中微公司從創立之初就把技術放在第一位。截至 2021 年6月30日，中微公司共申請專利1870項，其中發明專利1613項，已獲授權專利 1106項，其中發明專利 945項。包括CCP刻蝕機、ICP刻蝕機、MOCVD設備在內的主要產品均擁有自主專利保護。

中微公司之所以能夠跨越“第二座大山”，是得益于早期初創團隊的充分準備。但半導體歸根到底是一個集群性質的產業，光靠一家中微公司是不夠的。

現如今，資本市場過于注重企業的盈利能力，而忽略了他們在知識產權方面的積累。縱觀中國企業數次被卡脖子的情況，無一不是因知識產權所致。

對于科技公司而言，知識產權應該被格外看重，知識產權也很有可能成為未來半導體投資的主線之一。

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第三座大山：資本悖論

人們的生活離不開半導體，但研發半導體設備又是一個很燒錢的事情。

對于上市公司而言，賺錢分紅是為股東負責；但同時中國半導體產業又需要大量的資金投入，否則就只能受制于人。不搞研發就會落后，搞研發又會燒錢，盈利壓力與研發投入之間已經形成無法回避的“資本悖論”，這成為壓制中國半導體發展的“第三座大山”。

尹志堯曾向媒體透露，中微公司成立16年的時間，就已經花掉了超過20億元的資金，然而全球龍頭應用材料2020財年的研發投入就超過22億美元（約141億元），幾乎是中微公司過去總投入的7倍。

雖然中微的刻蝕機已經擠進國際一線行列，但未來卻不得不面對來自國際巨頭競爭對手的沖擊。數十倍研發費用的差距，依然讓中微公司不能有任何的放松。

從業務層面分析，中微公司與應用材料還是存在差異的，應用材料如此多的研發投入并非只針對刻蝕機一個細分領域，而是全面布局除光刻機、觸角顯影機外的半導體前道設備產業鏈。

在國內，2010年上市的北方華創采用與應用材料相似的發展策略，也是聚焦光刻機外的前道設備產業鏈。雖然上市較早，但北方華創2020年的研發費用也僅為6．7億元，不足應用材料研發費用的5％。

無論是先一步上市的北方華創，還是后來的中微公司他們都遇到了同樣的難題，那就是本身在技術上就處于落后身位，而研發支出又遠遠落后對手，始終處于追趕之中，同時這也是中國半導體產業所普遍存在的問題。

不同于北方華創的全產業鏈布局，中微公司只將注意力聚焦于刻蝕機和MOCVD設備之上。雖然業務聚焦限制了中微公司的規模增長，但同時更聚焦的研發則能讓自身與國際競爭對手的研發支出差距縮小。

刻蝕工藝共有兩條技術路線，分別是濕法刻蝕和干法刻蝕。目前濕法刻蝕由于各向異性較差，所以應用較少，干法刻蝕成為半導體產業的主流技術。干法刻蝕又分為電容耦合等離子體刻蝕（簡稱CCP）、電感耦合等離子體刻蝕（ICP）兩種主流路線。

中微公司早期單以CCP技術為突破點，在CCP刻蝕機達到國際一流水準后，才逐漸加深對于ICP和MOCVD的研究。CCP與ICP并非取代的關系，而是同時存在于半導體前道工序中，因此入局ICP有望加深中微公司的業務規模。

對于技術落后，很多投資者不以為意，既然技術落后，那我們就追加投入！但真的有那么容易嗎？

且不提研發本身就存在失敗的概率，單純提升研發投入很可能打破公司的支出平衡，讓公司陷入虧損之中，而這恰恰是國內投資者最不愿看到的事情。

這種對于虧損的擔心，完全是因為資本對于中國半導體產業缺乏信心。在中微公司創立之初，其實尹志堯博士就曾遇到資金不足的問題，直到最終拿到國開行的投資，中微公司才沒有“夭折”。

回過頭看，國開行對于中微公司的投資無比成功，現在的中微公司不僅躋身國際刻蝕機一線廠商行列，而且市值也已經超過928億元，但今天的成功正是建立在過去的虧損之中。

如此分析，僅靠資本市場是不足以解決中國半導體企業落后的情況，中國半導體產業的發展，仍需要大基金的支持。2019年半導體基金的建立讓半導體產業的資金壓力有所緩解，但想要徹底解決資金問題，仍需完善更多的融資渠道。

此外，投資者也需要轉換思維，從單純注重盈利轉移至重視公司的科技價值。

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結語：中微的啟示

縱觀整個半導體前道設備產業鏈，刻蝕機、光刻機和薄膜沉積設備是市場占比較高的三大細分行業，分別占整個市場的25％、22％和22％。

作為半導體前道設備中市場規模最大的細分行業，刻蝕機也曾與光刻機一樣是《瓦森納協定》所封鎖的重點。但隨著中微公司的突圍，如今《瓦森納協定》已經解除了對刻蝕機的封鎖，使得中國刻蝕機不再受制于人。

中微公司突圍背后，人才、專利、資本三要素缺一不可。對于中國半導體產業而言，中微公司的成功很有借鑒意義，只有當正確的人，做了正確的事情，并獲得了正確的資本支持，才能讓中國半導體走上國際的舞臺。