眾所周知，在芯片生產過程中，光刻機是繞不過的設備，如果從整個生產來看，光刻機的成本占總設備成本的30％。

最關鍵的是，當進入到7nm工藝后，必須要用到EUV（極紫外線）光刻機，這種光刻機只有荷蘭ASML能夠生產，且產能有限，廠商們要買到，并不容易，要排除，且ASML要優先供應臺積電、三星、intel這幾家股東。

所以一直以來，大家都在尋找其它辦法，比如不用EUV光刻機，能不能生產7nm及以下的芯片？事實上，也有廠商是這么想并打算這么干的，因為通過DUV光刻機進行多重曝光，理論上也能達到7nm。

但這種辦法非常復雜，對技術要求非常高，同時良率低，晶圓的損耗比較大，所以如果能夠買到EUV光刻機，就不可能用這種辦法，這種辦法生產出來的芯片，完全沒有市場競爭力。

而近日，日本廠商搞出了另外一種辦法，那就是不采用DUV多重曝光，而是開發了一種新的NIL制程技術，這種技術不需要EUV光刻機，就可以將芯片制程推至5nm。

這家廠商就是日本的存儲大廠鎧俠Kioxia（東芝），它與日本的光學／半導體廠商佳能，還有光罩／半導體廠商大日本印刷株式會社（DNP），經過了4年的研發，終于研發出了納米壓印微影（NIL） 的量產技術。

目前鎧俠已將其應用到了15nm的NAND閃存制造上了，并表示到2025年應該可以應用到5nm的芯片制造上。

鎧俠表示，NIL 技術與EUV光刻技術相比，可以大幅度的減少耗能，轉化效率高，耗電量可壓低至EUV 技術的10％，同時NIL技術下的設備也便宜，與ASML的EUV光刻機相比，投資可降低至僅有EUV 設備的40％。

不過也有專業人士指出，NIL技術也許能夠推進芯片制程至5nm，但可能更適應于NAND這種3D堆疊的閃存芯片，不一定適用于所有的芯片。

不過合作廠商之一的佳能，則表示要努力的將NIL 量產技術廣泛的應用于制作DRAM 及PC 用的CPU 等邏輯芯片的設備上。

對于這個技術，不知道大家怎么看？如果真的能夠推進至5nm，且用于除NAND之外的通用芯片，那么ASML就必將走下神壇。

甚至從一定程度而言，也是國產芯的好消息，你覺得？對于這樣的彎道超車的技術，真希望它能夠多一點，并且是中國廠商研發的就好了。