芯片是由晶體管組成的，同樣的面積之下，晶體管越密集，意味著芯片工藝越先進，所以每一代的芯片工藝提升，都是以縮短晶體管導電溝道的長度為目標的。

這個晶體管導電溝道的長度，簡稱溝道長度，也就是指芯片的工藝，比如溝道長度為5nm，代表著芯片是5nm芯片。

而為了縮短這個溝道長度，就需要高精度的光刻機，光刻機精度越高，越能夠讓溝道長度變短。

但不可否認的是，由于目前的晶體管基本上都是平行型結構（晶體管之間是平行擺放的），當芯片達到3nm工藝時，要縮短溝道長度越來越難，因為會帶來嚴重的短溝道效應，同時對光刻機的精度也是要求太高了。

所以后來，科學家們研究另外一種晶體管結構，就是垂直型結構（晶體管之間是垂直擺放的），垂直型晶體管的溝道長度，僅由材料厚度決定，這樣可在大幅度的縮短溝道長度，從而使晶體管更密集，實現更先進的工藝，并且不用依賴于傳統的高精度光刻技術。

但這種垂直型晶體管，理論很美好，現實卻很嚴峻，因為金屬－半導體間之間會形成非常不理想的接觸界面，從而破壞整個器件的溝道，增加垂直隧穿電流，使器件不受柵極調控。

但在近日，湖南大學的研究團隊，采用低能量的范德華電極集成方式，實現了以二硫化鉬作為半導體溝道的薄層甚至單原子層的短溝道垂直器件，減小了隧穿電流，使得這種垂直晶體管技術，進入到了一個新的階段。

在測試中，垂直型晶體管在實現0．65nm的溝道長度的同時，同樣保持著較好的特性，也就意味著芯片工藝，能夠進入到1nm級別。

更重要的是，由于與平行型晶體管不同，這種垂直型晶體管技術，能夠不依賴高精度光刻技術和刻蝕技術的限制，就可以生產出高制程的芯片來。

目前相關論文已發表在《自然·電子學》（Nature Electronics）雜志上，湖南大學的官網上也有相關的詳細報道。

不過，大家也先別太激動，目前這還只是研究，真正用到工廠生產，可能還需要很長一段時間，但也別吐槽，任何技術的量產，都是先有理論研究的，沒有理論研究，哪來的量產。