突破”卡脖子"難關(guān),道阻且長(zhǎng),但行則將至。

光刻膠,又稱光致抗蝕劑,是整個(gè)光刻工藝中最核心的材料之一。在芯片生產(chǎn)中,光刻膠是必不可少的材料。但目前,光刻膠的國(guó)產(chǎn)化程度很低,國(guó)內(nèi)晶圓廠商較多依賴進(jìn)口。

據(jù)悉,根據(jù)不同技術(shù)類別,國(guó)內(nèi)低端的g線/i線光刻膠自給率約為20%,KrF光刻膠自給率不足5%,而高端的ArF光刻膠完全依賴進(jìn)口,也因此成為中國(guó)急需攻克的半導(dǎo)體卡脖子技術(shù)之一。

而近日國(guó)產(chǎn)光刻膠行業(yè)傳來了好消息。國(guó)內(nèi)廠商南大光電宣布,該公司研發(fā)的高端ArF光刻膠已經(jīng)獲得了國(guó)內(nèi)某企業(yè)的認(rèn)證,可用于55nm工藝制造。

5月31日晚間,南大光電發(fā)布公告稱,其控股子公司寧波南大光電自主研發(fā)的ArF光刻膠繼去年12月在一家存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)的50nm閃存平臺(tái)上通過認(rèn)證后,近日又在邏輯芯片制造企業(yè)55nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品上取得了認(rèn)證突破,表明公司光刻膠產(chǎn)品已具備55nm平臺(tái)后段金屬布線層的工藝要求。

據(jù)悉,雖然本次南大光電的ArF光刻膠通過的是55nm工藝認(rèn)證,但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術(shù)很廣,可用于90nm-14nm甚至7nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造工藝,目前廣泛應(yīng)用于高端芯片制造(包括邏輯芯片、 存儲(chǔ)芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計(jì)算芯片等)。

目前,受全球“芯片荒”刺激,進(jìn)口芯片普遍漲價(jià),而國(guó)內(nèi)本土晶圓廠也收獲了大量訂單,這使得芯片生產(chǎn)中所需的上游原材料更是供不應(yīng)求。受此利好,國(guó)產(chǎn)光刻膠也接到了不少訂單。

不過,在極高的技術(shù)壁壘下,光刻膠市場(chǎng)仍常年處在美國(guó)和日本幾家公司的壟斷格局之下。據(jù)悉,目前JSR、信越化學(xué)等TOP5廠商占據(jù)全球87%的份額。

國(guó)外壟斷化加上光刻膠本身的保質(zhì)期較短(6-9個(gè)月),一旦遇到突發(fā)事件,對(duì)我國(guó)芯片制造就會(huì)造成負(fù)面影響。因此,光刻膠的國(guó)產(chǎn)化勢(shì)在必行,而此次南大光電的技術(shù)突破,顯然為此開了個(gè)好頭。