2021年5月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(chē)(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線(xiàn)性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。

Nexperia產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Neil Massey評(píng)論道：“新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結(jié)硅技術(shù)與成熟的LFPAK銅夾片技術(shù)相結(jié)合，后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱(chēng)。低RDS(on)能夠讓我們將更多芯片封入在封裝中，從而提高功率密度，縮小器件管腳尺寸。”

這些新型功率MOSFET的尺寸僅為8 x 8 x 1.7 mm，具有領(lǐng)先的線(xiàn)性模式/安全工作區(qū)域(SOA)特性，可在大電流條件下安全可靠地開(kāi)關(guān)工作。在1 ms、20 VDS的工作條件下，由于芯片和封裝的組合，SOA為35 A，而在10 ms、20 VDS的工作條件下，此時(shí)封裝將起主導(dǎo)作用，SOA為17 A。這些數(shù)據(jù)優(yōu)于競(jìng)品1.5倍至2倍。這些器件還提供最佳單脈沖雪崩額定值(EAS) 2.3 J以及超強(qiáng)ID電流額定值500 A，與其他競(jìng)品不同的是，該值是測(cè)量得出的極限，而非理論上的極限。

憑借Nexperia的8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET在尺寸和性能方面的優(yōu)勢(shì)，設(shè)計(jì)人員能夠用一個(gè)新型LFPAK88替換兩個(gè)并行老式器件，從而簡(jiǎn)化制造和提高可靠性。符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的BUK7S0R5-40H器件提供超出車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)要求兩倍的可靠性，適合制動(dòng)、助力轉(zhuǎn)向、電池防反保護(hù)、e-fuse、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制應(yīng)用。工業(yè)PSMNR55-40SSH MOSFET適合電動(dòng)工具、電器、風(fēng)扇、電動(dòng)自行車(chē)、滑板車(chē)和輪椅中的電池隔離、電流限制、e-fuse、電機(jī)控制、同步整流和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

有關(guān)更多信息，包括產(chǎn)品規(guī)范和數(shù)據(jù)手冊(cè)，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.nexperia.com/lfpak88。  需詳細(xì)了解LFPAK88銅夾片封裝的獨(dú)特構(gòu)造，請(qǐng)觀看https://bit.ly/3yd47xQ

關(guān)于Nexperia

Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專(zhuān)家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類(lèi)電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車(chē)行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來(lái)的專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國(guó)擁有超過(guò)12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認(rèn)證。

Nexperia：效率致勝。