近日，搭載驍龍888的終端陸續上線，不少已經下單的小伙伴陸續反饋設備續航翻車的現象，甚至還有不少媒體對驍龍888的功耗進行了測試，結果也是如出一轍，發熱降頻統統翻車。

　　早在驍龍810時代，驍龍810的發熱問題導致手機出現自動關機，同時還有觸發降頻等一系列的問題，因此驍龍芯片被貼上了”火龍“的標簽。隨后的驍龍820、821等迭代產品中也出現類似的情況，甚至上一代驍龍865同樣因為發熱與功耗的問題，不得不讓手機廠商加大了散熱模塊來控制驍龍的”高溫“。

　　而這一代驍龍888似乎也難逃發熱和功耗問題，首先設計上，驍龍888采用的是”1+3+4“架構，包括1顆2.84GHz X1大核，3顆2.4GHz A78中核，以及萬年不變的4顆1.8GHz A55小核，GPU采用的是Adreno 660，雖然在設計上都有所升級，但實際功耗測試卻出現翻車情況。

　　根據某知名科技UP主最新測試可知，盡管驍龍888的性能有所提升，但功耗壓制出現了大問題，單純X1大核滿載功耗就達到了3.3W，相比去年同頻的A77高出整整1W，而且驍龍888的多核性能功耗也要比去年驍龍865高出了1.9W，顯然A78中核和A55小核的功耗也很高，即便采用5nm制程工藝也無法壓制高功耗的問題。

　　某知名科技UP主進行的功耗測試（圖源/網絡）

　　如此來看，上市不久的5nm制程工藝芯片確實有待推敲，相較于目前仍是主流的7nm制程工藝芯片來說，盡管5nm工藝提升帶來了更強的性能，但在功耗上并沒有做到領先，甚至是落后于上一代。

　　在5G市場上衰退的高通，想要通過驍龍888來穩固旗艦市場，可惜翻車的5nm制程讓驍龍888不”香“了，反倒是臺積電6nm工藝備受矚目，同樣是極紫外光刻（EUV）工藝，但成熟度相比5nm工藝會更高，從穩定性和功耗控制上預估會有更好的表現。

　　目前，搭載臺積電6nm工藝制程的芯片廠商包括有聯發科和展銳，即將推出的聯發科6nm天璣旗艦芯片或將有更高的關注度，很有可能成為今年諸多終端廠商的主推。