近日,臺(tái)積電前營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義離開武漢弘芯后,有媒體報(bào)道,蔣尚義將在明年元旦后,出任中芯國(guó)際副董事長(zhǎng)。

據(jù)問芯Voice 報(bào)道,蔣尚義已從美國(guó)返抵上海,進(jìn)行隔離中,之所以選擇回到中國(guó)加入中芯,是因與中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)熟識(shí),加上對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還有很強(qiáng)烈的熱情。

蔣尚義透露,自己非常熱衷先進(jìn)封裝與小芯片(Chiplet) 技術(shù),相較于武漢弘芯,在中芯實(shí)現(xiàn)理想會(huì)較容易,他并強(qiáng)調(diào)自己是很單純的工程師,有權(quán)利追求理想與事業(yè)目標(biāo),特別是熱愛的技術(shù)。

對(duì)于在臺(tái)灣被許多人形容為「叛徒」,蔣尚義強(qiáng)調(diào),當(dāng)初離開臺(tái)積電就說得很清楚,第一,不挖角臺(tái)積電的人,第二,不泄漏臺(tái)積電機(jī)密;且武漢弘芯做的事根本傷害不了臺(tái)積電,不解外界為何要把他說成是叛徒。

而在加入中芯后,面對(duì)外界可能的輿論,蔣尚義則說,「反正很多人都說我是叛徒,多罵幾次沒差,但真的希望不要這么政治化,我也有追求我的理想與事業(yè)的權(quán)利吧?」

至于外傳蔣尚義會(huì)加入武漢弘芯與中芯國(guó)際,是因受到待遇條件優(yōu)渥所吸引,對(duì)此,蔣尚義則否認(rèn)傳言,他表示,中芯國(guó)際給他的待遇比以前在臺(tái)積電還差,武漢弘芯給的也沒有比臺(tái)積電好。

滿天芯之前曾報(bào)道過,蔣尚義于2016年12月加入中芯國(guó)際,雖然他多次強(qiáng)調(diào),獨(dú)立董事不參與公司經(jīng)營(yíng),也不能擔(dān)任顧問之類的職務(wù),主要的任務(wù)就是一年開會(huì)四次。但在其任職的三年時(shí)間里,中芯國(guó)際的新工藝從28nm跨入14nm,同時(shí)12nm工藝研發(fā)也有所突破,可以說中芯國(guó)際取得了里程碑式的進(jìn)步。

相關(guān)資料顯示,1968年,蔣尚義在國(guó)立臺(tái)灣大學(xué)獲電子工程學(xué)學(xué)士學(xué)位,1970年在普林斯頓大學(xué)獲電子工程學(xué)碩士學(xué)位,1974年在斯坦福大學(xué)獲電子工程學(xué)博士學(xué)位。畢業(yè)后,蔣博士曾在德州儀器和惠普公司工作。1997年回到臺(tái)灣,任職臺(tái)積電研發(fā)副總裁,是臺(tái)積電掌管單一部門時(shí)間最久的人。在臺(tái)積電期間,蔣博士將研發(fā)團(tuán)隊(duì)從120人擴(kuò)編至2013年的7000多人,年度研發(fā)經(jīng)費(fèi)更從25億臺(tái)幣激增至2011年的350億臺(tái)幣。2013年底退休時(shí),在臺(tái)積電任共同首席運(yùn)營(yíng)官一職,退休后還擔(dān)任臺(tái)積電兩年董事長(zhǎng)顧問。

目前蔣尚義博士年紀(jì)已近76歲,在半導(dǎo)體業(yè)界從業(yè)40多年,曾參與研發(fā)CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOS、SOI、GaAs激光、LED、電子束光刻、矽基太陽能電池等項(xiàng)目。并在臺(tái)積電主導(dǎo)了0．25μm、0．18μm、0．15μm、0．13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm及  16nmFinFET等關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的研發(fā),使臺(tái)積電的行業(yè)地位從技術(shù)跟隨者發(fā)展為技術(shù)引領(lǐng)者。

在臺(tái)積電的十多年里,蔣尚義是張忠謀的得力干將,是幫助臺(tái)積電登頂晶圓代工業(yè)的功臣之一。而退休后選擇加入中芯國(guó)際的舉動(dòng),讓整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)界頗為驚訝。之后辭去中芯董事一職,加入武漢弘芯半導(dǎo)體擔(dān)任CEO,再一次讓大家感到意外。

如今,資歷深厚的蔣尚義再次回歸中芯國(guó)際,對(duì)熱愛的半導(dǎo)體事業(yè)再次進(jìn)行沖刺,希望能早日實(shí)現(xiàn)其先進(jìn)封裝與小芯片(Chiplet) 技術(shù)的夢(mèng)。