臺積電董事長劉德音也表示,計劃擴建工廠提升2nm芯片的產能。

據最新報道,臺積電在2nm芯片技術上取得了重大突破,雖然目前尚未透露具體細節。但有消息稱,2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性實驗,并于2024年進入量產階段。

臺積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距,并繼續推進1nm工藝的研發。

預計到時候蘋果、高通、英偉達、AMD等客戶有望率先采用其2nm工藝。

據悉臺積電2nm將會采用多橋通道場效晶體管 (MBCFET)架構,這一架構有助于克服鰭式場效晶體管 (FinFET)架構因制程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題。臺積電在2nm制程上采用這一工藝架構,將有助于提高2nm的生產能力。

目前三星已經在5nm工藝的研發上投入了約4．8億美元,3nm砷化鎵場效應管的研發將大大超過5億美元。雖然臺積電很少披露具體工藝節點的投資數字,但我們可以想象。臺積電此前曾表示,其2納米技術的研發和生產將在保山和新竹進行,同時還進一步指出,它正計劃擁有四個超大型晶圓廠,占地222英畝。