英國倫敦、美國圣克拉拉，2020年10月20日 – 領先的電池和電源管理、Wi-Fi、低功耗藍牙（BLE）、工業邊緣計算解決方案供應商Dialog半導體公司（德國證券交易所交易代碼：DLG）和全球領先特殊工藝半導體代工廠格芯? (GLOBALFOUNDRIES?) 今天聯合宣布，已就Dialog向格芯授權導電橋接RAM（CBRAM）技術達成協議。該基于電阻式RAM（ReRAM）的技術由Dialog半導體公司于2020年收購的Adesto Technologies首創。格芯首先將在其22FDX?平臺上以嵌入式非易失性存儲器（NVM）選項提供Dialog的CBRAM，后續計劃將該技術拓展到其他平臺。

Dialog獨有的且經過生產驗證的CBRAM技術是一項低功耗的NVM解決方案，專為物聯網（IoT）、5G連接、人工智能（AI）等一系列應用而設計。低功耗、高讀/寫速度、更低的制造成本、對惡劣環境的耐受能力使CBRAM特別適合消費、醫療、和特定的工業及汽車等應用。此外，CBRAM技術為這些市場中的產品所需的先進技術節點提供了具成本效益的嵌入式NVM。

Dialog半導體公司企業發展高級副總裁兼工業混合信號業務部總經理Mark Tyndall表示：“CBRAM是Adesto杰出的標志性存儲技術之一，該技術加入到Dialog產品組合中具有重要的戰略意義。此次與格芯的授權合作恰好證明了Dialog和Adesto融合后開展業務的速度。展望未來，我對我們和格芯牢固的合作關系非常有信心。此次授權協議不僅為行業提供了最先進的技術，也為Dialog在下一代系統級芯片（SoC）中采用先進CBRAM技術提供了機遇。”

格芯高級副總裁兼汽車、工業和多市場業務部總經理Mike Hogan表示：“我們與Dialog的合作彰顯了格芯在為客戶進一步提供差異化優勢和增值的領域加大投資的承諾。Dialog的ReRAM技術是對我們領先的eNVM解決方案系列非常好的補充。該存儲器解決方案結合我們的FDX平臺，將幫助我們客戶進一步突破技術邊界，提供新一代安全的IoT和邊緣AI應用。”

Dialog的CBRAM技術克服了ReRAM常見的集成和可靠性挑戰，提供了可靠且低成本的嵌入式存儲器，同時保留了ReRAM的低電壓運行能力。這意味著可以實現比標準嵌入式閃存更低功耗的讀寫操作。

CBRAM將于2022年在22FDX平臺上以嵌入式NVM選項供格芯的客戶使用。通過IP定制，客戶可以修改CBRAM單元以優化其SoC設計，提升安全性，或對單元進行調整以適合新的應用。此外，CBRAM作為一種“后道工序”技術，可以相對容易地集成到其他技術節點中。