【2020年10月9日，德國慕尼黑訊】在工業應用 SMPS 的設計上，最新的技術趨勢會將高效率、高功率密度及總線電壓上升的需求作整體考慮，也因此觸發了對 650V擊穿電壓功率器件的需求。英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 旗下 650 V CoolMOS? CFD7 產品系列即可滿足上述需求。此器件適用于軟切換應用的諧振拓撲，例如通信電源、服務器、太陽能和非車載的電動車充電。
新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產品。新款 650 V 產品可搭配 LLC 和零電壓切換相移全橋拓撲，較前幾代產品能提供多項優勢。本產品系列擊穿電壓提升 50 V，搭配整合高速本體二極管技術及更出色的切換效能，非常適合用于當代設計。極低的反向恢復電荷加上優異的熱性能，也添加了更多優勢。
開關損耗與 RDS(on) 過熱相依性皆大幅降低，此產品系列具備非常優異的硬式整流耐用度。由于閘極電荷 (Qg) 改善，加上快速的開關性能，650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整個負載范圍的效率。在主要的SMPS應用中，相較于競爭產品，這些 MOSFET提供絕佳的輕載效率，滿載效率也有所提升。此外，同級最低 RDS(on) 也能讓客戶能以極具競爭力的價格，提升 SMPS 的功率密度。
供貨情況
TO-220、TO-247 及 TO-247 4 引腳封裝的 650 V CoolMOS CFD7 現已接受訂購。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。