在正在進(jìn)行的電子電路中邏輯和存儲(chǔ)設(shè)備小型化的過(guò)程中，減小互連的尺寸（連接芯片上不同組件的金屬線(xiàn)）對(duì)于保證設(shè)備的快速響應(yīng)并提高其性能至關(guān)重要。

　　研究工作集中在開(kāi)發(fā)具有優(yōu)異絕緣性能的材料上，以使互連彼此分離。合適的材料應(yīng)作為防止金屬遷移到半導(dǎo)體中的擴(kuò)散屏障，并具有熱、化學(xué)和機(jī)械穩(wěn)定性。 至少在過(guò)去的20年中，對(duì)這樣一種高度絕緣的材料的追求推動(dòng)了半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。每當(dāng)報(bào)告具有所需特性的材料時(shí)，由于機(jī)械性能不佳或集成時(shí)化學(xué)穩(wěn)定性不足，系統(tǒng)地?zé)o法成功地將它們集成到互連中，從而導(dǎo)致可靠性失敗。

　　西班牙ICN2和英國(guó)劍橋大學(xué)的Graphene Flagship 研究人員與蔚山國(guó)立科學(xué)技術(shù)學(xué)院（UNIST）和韓國(guó)三星高級(jí)技術(shù)學(xué)院合作，準(zhǔn)備和研究非晶態(tài)氮化硼的超薄薄膜（a-BN）具有極低的介電特性，高擊穿電壓和優(yōu)異的金屬阻擋性能。這種新制造的材料作為下一代電子電路中的互連絕緣體具有巨大的潛力。

　　研究人員報(bào)道了非晶態(tài)氮化硼（a-BN）薄膜的大規(guī)模合成，這種材料顯示出創(chuàng)紀(jì)錄的低介電特性。換句話(huà)說(shuō)，非晶硼氮化物是高性能電子產(chǎn)品應(yīng)用的絕佳選擇。 研究人員認(rèn)為，“他們的研究結(jié)果表明，非晶氮化硼對(duì)高性能電子產(chǎn)品具有出色的低κ介電特性。” 該研究發(fā)表在科學(xué)雜志《自然》上。

　　根據(jù)該論文，研究人員使用硅襯底和電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法合成了厚度僅為3納米毫米的a-BN層。所得材料顯示出極低的介電常數(shù)，非常接近1。此外，在非常苛刻的條件下對(duì)這種新材料進(jìn)行的擴(kuò)散阻擋層測(cè)試也表明，它可以防止金屬原子從互連體遷移到絕緣體中。這些特性與高擊穿電壓一起使a-BN在實(shí)際的電子應(yīng)用中非常有吸引力。“層狀材料的無(wú)定形形式，如h-BN是一個(gè)新興的研究領(lǐng)域。

　　這一發(fā)現(xiàn)表明，來(lái)自世界各地的多個(gè)機(jī)構(gòu)之間的合作如何能夠?qū)е戮哂兄卮蠹夹g(shù)意義的突破性研究，”Graphene Flagship 合作伙伴英國(guó)劍橋大學(xué)的Manish Chhowalla說(shuō)。Chhowalla是UNIST的客座教授，他幫助監(jiān)督了該項(xiàng)目，并與UNIST和三星的團(tuán)隊(duì)緊密合作，設(shè)計(jì)，試驗(yàn)和解釋了結(jié)果。

　　來(lái)自西班牙Graphene Flagship合作伙伴ICN2的Stephan Roche小組進(jìn)行了理論和計(jì)算計(jì)算，可以解釋a-BN膜的結(jié)構(gòu)和形態(tài)特性以及介電響應(yīng)。“我們的計(jì)算有助于確定a-BN優(yōu)異性能的關(guān)鍵因素：BN鍵的非極性特征以及缺乏防止偶極排列的有序性。此模擬結(jié)果有助于理解這種非晶態(tài)材料的結(jié)構(gòu)形態(tài)并解釋其卓越的介電性能。” Stephan Roche說(shuō)。Graphene Flagship產(chǎn)品使能材料負(fù)責(zé)人MarGarcía-Hernández表示：“這項(xiàng)出色的工作揭示了未來(lái)的發(fā)展道路。

　　目前鑄造廠(chǎng)的技術(shù)或基于分層材料的新技術(shù)之間沒(méi)有兩難選擇，遵循的路線(xiàn)是兩者的整合。A-BN可以為CMOS集成電路制造中長(zhǎng)期存在的互連問(wèn)題提供解決方案，使電子設(shè)備進(jìn)一步小型化，因?yàn)樗Y(jié)合了對(duì)超低k電介質(zhì)的所有要求，并具有出色的機(jī)械性能，高密度以及化學(xué)和熱穩(wěn)定性。

　　這一結(jié)果鼓勵(lì)尋找能夠?yàn)樘魬?zhàn)性問(wèn)題提供新解決方案的新型無(wú)定形層狀材料。”“晶體h-BN在層狀材料光子學(xué)和光電子學(xué)中起著關(guān)鍵作用。對(duì)A-BN進(jìn)行了多年研究，當(dāng)厚度接近剝離層狀材料時(shí)，本文顯示出令人鼓舞的電子性能。優(yōu)點(diǎn)是大面積沉積相較于晶體晶體，它更容易實(shí)現(xiàn)。非晶態(tài)超薄膜加入了層狀和二維材料族，因此，本文將是探索這一新的有希望的科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的眾多論文中的第一個(gè)。”Graphene Flagship產(chǎn)品的科學(xué)技術(shù)官兼管理小組主席Ferrari如是說(shuō)。

　　總而言之，這對(duì)于電子供應(yīng)鏈而言是令人振奮的消息，并且代表著電子未來(lái)的重大成就。