在臺積電第26屆技術研討會中，臺積電證實了5nm和6nm制程工藝已經進入大規模量產階段。同時，官方也宣布將在明年推出5nm的升級版本。此外，更為先進的3nm和4nm工藝也已經在研發之中。4nm制程是5nm改進后的最終版本，而3nm才是接替5nm工藝的新一代制程。

從技術指標來看，3nm工藝（N3）的風險試生產將于明年進行，大規模量產要等到2022年。與5nm相比，3nm能夠在性能提高10％－15％的同時，減少25％－30％的能耗。 4nm（N4）的風險試生產也計劃于明年進行，也是從2022年開始量產。對于臺積電的5nm客戶來說，他們向4nm的過渡將會極其流暢，這也意味著流片成本的大大降低。

當然，臺積電并非唯一的3nm制造商，它的老對手三星也正加快研發腳步，希望在明年推出3nm制程。從核心技術來看，三星的3nm制程將會轉向柵極全包圍（Gate－All－Around），而臺積電則會堅持采用FinFET技術。

與此同時，臺積電也正在為2nm制程工藝建立新的研發中心，屆時將有8000名工程師在此一同攻克2nm工藝。研發中心的具體位置暫時還不得而知，不過2nm晶圓廠的選址已經定為臺灣新竹市。

今年，得益于訂單的巨大增長，臺積電已經投資了數百億新臺幣用于購置土地，以擴大工廠產能。對于新制程工藝的研發來說，這些投資也是必要的。目前，不管是對于三星還是臺積電，3nm都已經觸手可及，最后一步就是要為實現量產建立晶圓廠，而這一步則取決于投資有效性。