IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET 驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS 不間斷電源等設備上；

IGBT 模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的 IGBT 也指 IGBT 模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；

IGBT 是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

作為基本的物理學常識，我們知道：

電動汽車里的動力電池 Pack 輸出的電是直流電，

而驅動汽車運動的電機里的電流是三相交流電。

那么問題來了，動力電池 Pack 里的直流電是如何轉為三相交流電，最后變成汽車行駛所用的機械能呢？

這個時候一個叫做 逆變器的工業產品出現了。

下圖：Tesla Model S(參數|圖片) 雙電機的逆變器

下圖：Tesla Model S 雙電機逆變器的爆炸圖

其中：

①：Control board ；

②：Aluminium shield

③：Phase current sensor ferrite ring；

④：Gate driver board ；

⑤：Phase busbars ；

⑥：Heat sinks ；

⑦：TO-247 package IGBTs ；

⑧：IGBT clips ；

⑨：DC-link capacitors

而 IGBT 則是逆變器里的核心電子器件，重要性類似電腦里的 CPU。

IGBT：(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管。

較為典型的 IGBT 模塊：

全球 IGBT 的主要制造商：

可以看出目前 IGBT 主要被德國，美國和日本人所掌控。