器件采用PowerPAK SO-8單體封裝，柵極電荷與導通電阻乘積優值系數達到同類產品最佳水平

　　賓夕法尼亞、MALVERN -2020年8月17日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP ，10 V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP導通電阻達到業內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。

　　日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC，柵極電荷與導通電阻乘積，即開關應用中MOSFET的重要優值系數 （FOM） 為185 mW*nC，達到同類產品最佳水平。

　　器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇，適用于適配器、電池和通用電源開關、反向極性電池保護、 OR-ing功能，以及電信設備、服務器、工業PC和機器人的電機驅動控制。SiRA99DP減少并聯器件數量，換句話說，加大單個器件電流，從而提高功率密度，節省這些應用的主板空間。此外，作為p溝道MOSFET，器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。

　　這款MOSFET經過RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

　　SiRA99DP現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為12周，視市場情況而定。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。