將芯片從2D平鋪封裝改成3D立體式堆疊式封裝已經(jīng)成為目前半導(dǎo)體業(yè)界的共識，這種在第三維度上進(jìn)行拓展的封裝技術(shù)能夠有效降低整個芯片的面積，提升集成度。目前業(yè)界領(lǐng)頭羊都在3D封裝技術(shù)上面努力著，前有臺積電的CoWoS（實際上是2．5D），后有Intel的Foveros，現(xiàn)在三星也公布了自家的3D封裝技術(shù)，名為X－Cube。

今天早些時候，這家韓國科技巨頭表示，其新的 X－Cube 3D IC芯片封裝技術(shù)已經(jīng)可以使用，該技術(shù)可以同時提供更快的速度和更好的能源效率。

三星的合同芯片制造部門三星晶圓廠已經(jīng)完成了使用 X－Cube 術(shù)的測試芯片的生產(chǎn)，新的 3D 集成電路芯片封裝技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)可以用于制造 7 納米和 5 納米芯片。新技術(shù)可以實現(xiàn)多個芯片的超薄堆疊，以制造更緊湊的邏輯半導(dǎo)體。該工藝使用通硅通 （TSV）技術(shù)進(jìn)行垂直電連接，而不是使用導(dǎo)線。

三星宣稱，芯片設(shè)計師可以利用其 X－Cube 技術(shù)設(shè)計出最適合自己獨(dú)特需求的定制芯片。由于采用了 TSV 技術(shù)，芯片中不同堆棧之間的信號路徑大大減少，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和能源效率。各種邏輯塊、存儲器和存儲芯片可以相互堆疊，以創(chuàng)造更緊湊的硅封裝。

三星公司表示，這項技術(shù)將用于 5G、AI、AR、HPC（高性能計算）、移動和 VR 等領(lǐng)域。據(jù)了解，三星代工廠將在 8 月 18 日至 8 月 20 日舉行的 Hot Chips 2020 博覽會期間展示其新技術(shù)。此外，三星還在努力改進(jìn) 5nm 工藝，跳過 4nm，在不久的將來開發(fā) 3nm 技術(shù)。