上海，2020年7月24日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達到FRAM產品最高水平，運作溫度最高可達125℃。目前可為客戶提供評測版樣品。

這款全新FRAM是非易失性內存產品，在125℃高溫環境下可以達到10兆次讀/寫次數，工作電流低，是工業機器人和高級駕駛輔助系統（ADAS）等汽車應用的最佳選擇。

FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優于EEPROM和閃存，并已量產20多年，近年來廣泛用于可穿戴設備、工業機器人和無人機。

自去年發布以來，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業設備中獲得廣泛應用，而MB85RS4MTY將其容量提高了一倍，達到4M bit，滿足更高容量的需求，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V。由于這款FRAM工作電流低，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA（運作頻率50MHz），最大掉電模式電流為30μA，因此有助于降低環境敏感應用的功耗。

這款全新FRAM在-40℃至+ 125℃溫度范圍內可以達到10兆次讀/寫次數，適合某些需要實時數據記錄的應用。例如，每0.03毫秒重寫一次數據，同一地址連續記錄數據可達10年之久。

這款FRAM產品采用業界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現有類似引腳的EEPROM。此外，還提供8-pin DFN（無引線雙側扁平）封裝。

圖1：MB85RS4MTY 8-pin DFN（頂部?底部）

圖2：FRAM應用實例

富士通電子將繼續提供內存產品和解決方案，滿足市場和客戶的未來需求。

關鍵規格

? 組件型號：MB85RS4MT

? 容量（組態）：4 Mbit（512K x 8位）

? 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

? 運作頻率：最高50 MHz

? 運作電壓：1.8V - 3.6V

? 運作溫度范圍：-40°C - +125°C

? 讀/寫耐久性：10兆次（1013次）

? 封裝規格：8-pin DFN，8-pin SOP

詞匯與備注

鐵電隨機存取內存（FRAM）

FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數據的內存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀/寫周期的優點。富士通自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。