據媒體報道指國產存儲芯片企業長江存儲已開發出128層的NAND flash存儲芯片，這是當前國際存儲芯片企業正在投產的NAND flash技術，意味著中國的存儲芯片技術已達到國際領先水平。

    中國是全球最大的制造國，制造了全球超過七成的手機，其他PC、平板電腦等電子產品也有很大比例在中國生產，因此中國對芯片的需求極大，據悉中國采購的芯片占全球芯片市場的份額超過五成，采購的芯片金額甚至超過石油。

    存儲芯片正中國進口的主要芯片之一，估計中國采購的存儲芯片占全球存儲芯片的比例超過五分之一。然而在2019年以前，中國幾乎沒有生產存儲芯片，全球的存儲芯片主要由韓國、日本、美國生產，中國對全球存儲芯片的依賴性非常高。

    為改變這一局面，中國努力推進存儲芯片的研發和生產，2018年長江存儲生產出第一代NAND flash存儲芯片，2019年合肥長鑫生產出DDR內存芯片，中國終于在存儲芯片行業邁出了第一步。

    長江存儲雖然在2018年開始投產NAND flash存儲芯片，然而其時它生產的NAND flash存儲芯片僅是32層，而當時全球主流的NAND flash存儲芯片技術為64層，長江存儲也認識到自己在技術上的落后，因此32層NAND flash存儲芯片并沒有大規模生產，而僅為錘煉生產技術，并提升研發人員的技術水平。

    2019年長江存儲研發出64層NAND flash存儲芯片，追上了全球NAND flash存儲芯片的主流技術水平，它開始大規模投產NAND flash存儲芯片。此時中國才真正實現了部分NAND flash存儲芯片的自給，不過其時由于長江存儲才開始規模化生產，國內市場的NAND flash存儲芯片還是主要由國外供應。

    目前長江存儲研發出128層NAND flash，預計該項技術的NAND flash存儲芯片將很快投入量產，而目前海外存儲芯片也正在推進128層NAND flash存儲芯片的量產，這意味著中國的NAND flash存儲芯片在技術上已接近國際領先水平。

    推動長江存儲快速提升NAND flash存儲芯片技術離不開國內企業的支持，其中就包括華為。2019年華為被美國列入實體清單，美國存儲芯片企業美光與華為的合作受阻，華為迅速與長江存儲合作研發NAND flash存儲芯片，早在數年前華為就已研發SSD控制芯片，在存儲芯片技術上有一定積累，而且它是全球第二大手機企業、前五大服務器廠商，對NAND flash存儲芯片有很大的需求，華為的支持也加快了長江存儲研發更先進的NAND flash存儲芯片技術的腳步。

    中國自改革開放以來主要是依靠來料加工的方式發展經濟，直到2007年之前加工貿易占中國貿易的比例還超過五成，自那之后加工貿易占中國貿易的比例逐漸下降至近年的三成左右，機電、通信等高技術產品占中國出口的比例逐漸提升，凸顯出中國制造正逐漸往高端制造業爬升。

    中國在NAND flash存儲芯片技術上僅僅數年時間就接近國際先進水平，對于中國制造業來說無疑是非常重大的技術進展，代表著中國制造在數十年的努力下終于形成高度完善的產業鏈，擁有了深厚的技術積累，厚積薄發，迅速突破，代表著中國制造向中國創造轉變再上層樓。