2020年2月20日，北京訊——德州儀器（TI）（納斯達(dá)克：TXN）今日推出了業(yè)界更小的采用四方扁平無引線封裝（QFN）的36V、4A電源模塊。TPSM53604 DC/DC降壓模塊5mm x 5.5mm的面積使工程師能夠?qū)⑵潆娫闯叽缈s小30%，同時(shí)將功率損耗減少到其他同類模塊的50%。新電源模塊配有一個(gè)導(dǎo)熱墊來優(yōu)化熱傳遞，使工程師能夠簡化電路板安裝和布局。如需了解更多信息、樣品和評(píng)估模塊，敬請(qǐng)?jiān)L問 http://www.ti.com.cn/product/cn/TPSM53604。
TPSM53604可在高達(dá)105°C的環(huán)境溫度下運(yùn)行，能夠支持工廠自動(dòng)化和控制、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、測試和測量、工業(yè)運(yùn)輸、航空航天和國防等領(lǐng)域的堅(jiān)固應(yīng)用。
通過將TPSM53604與緊湊的降壓模塊（如TPSM82813和TPSM82810）配對(duì)，工程師可以創(chuàng)建從24-V輸入一直到負(fù)載點(diǎn)的完整電源解決方案，同時(shí)最大限度地減少設(shè)計(jì)時(shí)間和精力。
TPSM53604的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)
·縮小并簡化電源解決方案：其總面積為85mm2的單面布局是常見24V、4A工業(yè)應(yīng)用的更小解決方案。標(biāo)準(zhǔn)QFN封裝有助于簡化設(shè)計(jì)，從而縮短上市時(shí)間。
·實(shí)現(xiàn)高溫環(huán)境下的有效散熱：TPSM53604的QFN封裝面積的42%與電路板接觸，與另一種備選方案，即球柵陣列（BGA）封裝相比，能夠?qū)崿F(xiàn)更高效的熱傳遞。此外，該模塊的降壓轉(zhuǎn)換器集成了MOSFET和低漏極至源極電阻(RDS(on))，使24 V到5 V下的轉(zhuǎn)換效率能夠達(dá)到90%。如要了解更多詳細(xì)信息，請(qǐng)觀看視頻“使用TPSM53604電源模塊增強(qiáng)電源性能”。
·輕松達(dá)到EMI標(biāo)準(zhǔn)：TPSM53604的集成高頻旁路電容器和缺乏接合線有助于工程師滿足CISPR（國際無線電干擾特別委員會(huì)）11 B級(jí)限制規(guī)定的電磁干擾（EMI）標(biāo)準(zhǔn)。
封裝、供貨情況
現(xiàn)可從TI和授權(quán)經(jīng)銷商處購買5mm x 5.5mm的TPSM53604 QFN封裝。TPSM53604評(píng)估模塊可在IT.com上購買。TPSM53602（2A）和TPSM53603（3A）模塊現(xiàn)已投產(chǎn)，可從TI和授權(quán)經(jīng)銷商處購買。
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