近日，據外媒報道，長鑫存儲正式宣布其成為了國內第一家也是唯一一家DRAM供應商。

　　長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，專業從事DRAM內存的研發、生產和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產，并通過專用研發線快速迭代研發，結合當前先進設備大幅度改進工藝，開發出了獨有的技術體系。長鑫內存自主制造項目總投資1500億元，將生產國產第一代10nm工藝級8Gb DDR4內存芯片，并獲得了工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

　　目前長鑫存儲已經完成了合肥Fab 1及研發設施建設，該晶圓廠每月產量為20000晶圓，到2020年第二季度這一速度會提升到40000晶圓/月，大概能占到全球內存產能的3%。預計到 2020 年底，其 10nm 級工藝技術的產能為 12 萬片晶圓（12 英寸），媲美 SK 海力士在中國無錫的工廠。

　　長鑫存儲已經開始生產基于 19nm 工藝的計算機存儲器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級制程的路線圖，計劃在未來生產各種類型的DRAM。為了提升產量，長鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國制造 2025 項目的一部分，其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。

　　長鑫存儲正在使用其 10G1 技術（19 nm 工藝）來制造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 存儲器芯片，目標在 2020 年第一季度將其商業化并投放市場，該技術將用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存儲器。

　　從路線圖來看，CXMT 還規劃了針對 DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3（17 nm 工藝）產品。盡管目前尚無法撼動業內老牌競爭對手，但該公司相當重視創新工藝的研發和產能的擴張。

　　預計長鑫存儲 10G5 工藝將使用 HKMG 和氣隙位線技術，并在遠期使用柱狀電容器、全能柵極晶體管、以及極紫外光刻（EUVL）工藝。

　　盡管該公司計劃于 2019 年初開始生產 DDR4 內存，但新路線圖已經推遲了一年。最后，該公司還計劃再建兩座 DRAM 晶圓廠。

　　目前長鑫存儲國內唯一的競爭對手是清華紫光，它計劃于2021年在重慶建成研發中心和DRAM晶圓廠，距離量產還要3-5年時間。

　　就在前幾天，長鑫存儲技術有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯合宣布，就原內存制造商奇夢達開發的DRAM內存專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協議和專利采購協議，依據專利許可協議，長鑫存儲從Polaris獲得大量DRAM技術專利的實施許可。依據獨立的專利采購協議，長鑫存儲從Polaris購得相當數量的DRAM專利。