中國，2019年11月22 日 - 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出了新一代存儲器芯片，集前所未有的存儲容量與讀寫速度和可靠性于一身，新產品讓我們每天使用的產品設備能夠做更多的事情，讓我們的生活和工作更豐富。

　　意法半導體的新的存儲器容量4Mbit的 EEPROM可讓小型設備捕獲更多的數據，通過串行SPI總線保存在存儲器內。有了這款存儲器，智能表記計等儀表設備能夠提高數據記錄量，從而更有效地管理能源網絡，提供更人性化的計費方式；便攜式醫療設備可以更密集地記錄患者數據，提高醫療護理質量；智能穿戴設備等消費類產品可以支持更多的用戶功能和更高的精度；在這些應用中，存儲器的低功耗特性還有助于延長電池的續航時間。高容量存儲器還可以給網絡交換機等各種工業控制和通信基礎設施應用帶來好處。

　　意法半導體存儲器事業部總經理Benoit Rodrigues表示：“ ST是世界公認的最大的串行EEPROM芯片廠商，串行存儲器廣泛用于消費、工業和汽車相關設備系統，我們將繼續推動技術創新。市場上首款4Mbit EEPROM器件是采用我們自己的CMOS技術生產，該技術目前是業內最先進的110nm EEPROM制程。”

　　意法半導體的M95M04 EEPROM存儲器兼備前所未有的存儲容量與出色的能效，適用于精打細算的預算緊張的應用項目，擴大了意法半導體以高度可靠、持久耐用的10億次全內存讀寫周期享譽市場的存儲器產品家族。新產品能夠在5ms內寫入512字節，可實現低延遲的快速的系統操作。

　　樣品現已開放申請。

　　詳細技術信息

　　M95M04 EEPROM具有高容量非易失性存儲功能，可用于存放需要持久保存的數據，例如，應用程序代碼、精度校準表和用戶參數，以及密集型數據記錄。

　　市場上存儲容量最高的EEPROM存儲器，采用小型8引腳SO8N和TSSOP8封裝，成本效益高于競品，例如，集成微控制器和閃存的EEPROM仿真存儲器、鐵電FRAM和磁阻MRAM。與CMOS EEPROM相比，這些存儲器的功耗高，電源電壓范圍窄。

　　M95M04 EEPROM的優點包括1.8V至5.5V的寬電源電壓和 40年的數據保存期限，除SO8N和TSSOP8封裝外，還提供最先進的8焊球WLCSP芯片級封裝。