化石燃料是一種有限的資源，一旦消耗殆盡，世界將面臨前所未有的能源危機。正因如此，電在我們日常生活的方方面面都至關重要。幾乎人人都了解汽車、公交車和卡車將成為電動車，但很少有人知道航空學正在取得類似的進展-最終導致電動飛機的出現。

清潔能源的使用給以可再生方式產生能源帶來了許多好處。可再生能源生產方法的數量和成熟程度正在增加，這意味著我們可以對其成為礦物燃料的可行和可持續替代品的能力充滿信心。

現在的重點正轉向兩個領域：第一，從可持續的來源產生更多的電力;第二，通過高效利用每瓦特功率以確保盡可能高效地利用電力。

在我們思考電力的方式發生這種變化的同時，幾乎所有電氣/電子設備使用的半導體器件中的材料也發生了類似的“巨大變化”。多年來，硅一直是主要材料，數十億美元投入數十年的增量改進中，從而交付了以前無法實現的設備。

然而，越來越明顯的是，硅達到其極限，現在被更強大、現代的材料取代，這些材料的性能優于硅，特別是在電壓/電流容量、開關速度和減小的損耗方面，這確保它們更高效地使用電能。它們還提供更高的功率密度，這意味著隨著更高的功率方案成為趨勢，整體方案的外形尺寸不需要相應地增加。

寬禁帶(WBG)材料在許多應用中都具有優勢，在現代大功率應用中尤其有價值，包括混合動力或全電動傳動系統的車輛。它們還用于發電領域，包括太陽能電池逆變器和風力渦輪機，以及更為傳統的領域如為工業電機供電等。

雖然WBG的出現給業界帶來了巨大的挑戰，包括對如二極管和MOSFET等半導體產品進行基本的重新設計，如開發更強固的封裝，以及完全重新設計這些器件的制造工藝，但WBG逐漸成為業界新產品設計的關鍵。

安森美半導體是該技術的先驅，已解決了許多挑戰，最近創建了最低導通電阻(RDSon)的 SiC MOSFET。此外，每年我領先于們都在擴增更多的新產品節點，并致力于下一代器件的開發，以持續在性能和產品陣容領先。安森美半導體認為垂直整合是為了向我們的客戶提供最好的產品。

如今，一些制造商正在重新設計IGBT驅動器與SiC MOSFET一起使用。由于硅IGBT和SiC MOSFET具有不同的襯底參數和不同的開關行為，因此該方法可能不是最佳方案。使用這種方法可能意味著WBG SiC器件將不會達到其峰值性能，大大抵消了轉向該技術的好處。

安森美半導體提供具有高度的靈活性和集成度的SiC門極驅動器，完全兼容市場上的任何SiC MOSFET。

除了二極管和MOSFET之類的器件，WBG技術還將在電源模塊領域產生重大的積極影響。充分證明了模塊在高功率(> 20kW)應用中的優勢，并且隨著功率需求的增加，將需要WBG技術來滿足市場需求。

盡管這些模塊可能會保留其硅基前身的外形尺寸，但幾乎內部設計的每個方面都將需要進行更改以采用新器件的特性。

隨著SiC器件與硅器件趨于成本平價，我們正處于這市場發展的一個關鍵點。安森美半導體在其中發揮主導作用，并在未來一段時間內持續專注于通過全面垂直整合保持作為一家頂級SiC供應商。