第三代半導體為近年新興的技術，主要聚焦于碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體新材料領域的突破性技術發展以及新材料器件研發。
20世紀初出現第三代半導體相關專利申請，大約在2000年以后，相關專利申請開始進入快速增長階段。美國早期領銜全球專利增長，2010年前后我國的申請量首次超過美國。美國、日本、中國、韓國、德國等國家或地區相關專利申請量增長較快。
截至2018年9月30日，第三代半導體產業專利總量約為8．751萬件。碳化硅、氮化鎵、其他金屬氧化物三種主要材料申請數量較為接近；其中碳化硅材料功率半導體和器件工藝較為熱門，氮化鎵材料外延生長和光電子比重較大。
從襯底技術、結構、設備等方面分涉氮化鎵器件制備的技術演進如下圖。
氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導率、耐腐蝕以及抗輻射等優點，又與現有硅半導體工藝兼容性強，在降低成本方面顯示更大的潛力。
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