美國(guó)數(shù)據(jù)設(shè)備公司（DDC）推出首個(gè)用于太空領(lǐng)域的CCGA封裝的抗輻射DDR2 SDRAM，此款產(chǎn)品是對(duì)DDC高密度空間級(jí)陶瓷密封存儲(chǔ)器的最新補(bǔ)充，其中包括閃存NAND/NOR、SDRAM、SRAM和EEPROM解決方案。新款DDR2(97D2H)在一個(gè)緊湊的CCGA封裝中提供高達(dá)8GB的SDRAM，為長(zhǎng)期使用和易于設(shè)計(jì)提供了一個(gè)高度可靠和靈活的內(nèi)存解決方案。密封陶瓷封裝的輻射容錯(cuò)劑量TID(>100 krad orbit/mission dependent)，以及在單粒子效應(yīng)中(無閂鎖效應(yīng)[1])提供了出色的輻射耐受能力，而通用封裝提供多種密度和數(shù)據(jù)寬度選項(xiàng)，以簡(jiǎn)化電路板設(shè)計(jì)、系統(tǒng)集成和錯(cuò)誤糾正。

　　特點(diǎn):

　　·高性能

　　提供更高速度的SDRAM (400mhz)，以增加內(nèi)存吞吐量和最大限度地提高應(yīng)用程序效率

　　·高可靠性

　　密封陶瓷CCGA封裝，使用時(shí)間長(zhǎng)、易于設(shè)計(jì)；

　　出色的輻射耐受容錯(cuò)量(>100 krad** dependent on mission)和單粒子效應(yīng)（無閂鎖效應(yīng)）；

　　完整的模具批次可追溯性和模具批次TID測(cè)試可確保每個(gè)零件的一致，可靠的性能；從“工程類”到“飛行類”的篩選流程提供了多種選擇，使用戶的預(yù)算任務(wù)需求上得到相應(yīng)的匹配；

　　靈活性的設(shè)計(jì)/易用性

　　適用于多種密度和數(shù)據(jù)寬度的通用緊湊型封裝，簡(jiǎn)化了電路板設(shè)計(jì)和系統(tǒng)集成；

　　在單獨(dú)的CCGA封裝中最多可達(dá)8GB，占用空間小(1.1英寸x 0.717英寸)和325 in)；

　　寬數(shù)據(jù)總線選項(xiàng)(x8, x16, x32, x48, x64, x80)，用于簡(jiǎn)單的連接到抗輻射的 FPGA, ASIC和處理器，支持實(shí)現(xiàn)各種糾錯(cuò)方案；

　　“DDC的密封陶瓷DDR2代表了下一代空間級(jí)SDRAM，提供了最高輻射容錯(cuò)(>100 krad)，同時(shí)具有廣泛的數(shù)據(jù)總線選項(xiàng)。”——DDC業(yè)務(wù)經(jīng)理Dan Veenstra介紹。

　　[1] Latch up 是指cmos晶片中, 在電源power VDD和地線GND(VSS)之間由于寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產(chǎn)生的一低阻抗通路, 它的存在會(huì)使VDD和GND之間產(chǎn)生大電流；隨著IC制造工藝的發(fā)展, 封裝密度和集成度越來越高,產(chǎn)生Latch up的可能性會(huì)越來越大；Latch up 最易產(chǎn)生在易受外部干擾的I/O電路處, 也偶爾發(fā)生在內(nèi)部電路；Latch up 產(chǎn)生的過度電流量可能會(huì)使芯片產(chǎn)生永久性的破壞, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一。