幾年前的美光，可謂是腹背受敵，不僅在加工技術方面飽受爭議，市場銷量競爭也不及其他企業。今天，該公司雖在很多方面不敵三星，但相較SK海力士而言已經能夠迎頭趕上。一路奮起直追的美光，在今年4月，為了應對DRAM和新工藝技術需求的增長，開始在臺灣臺中附近的園區正式動工，打造新的無塵室來進行內部研發。

　　美光首席執行官Sanjay Mehrotra表示:“我們相信，受人工智能、自動駕駛汽車、5G和物聯網等廣泛長期趨勢的推動，內存和存儲的長期需求前景是不可抗拒的。”“新美光憑借創新的產品、反應性供應鏈以及與全球客戶建立的良好關系，很好地利用了這些趨勢。”

　　臺灣美光記憶體已經100%使用美光第一代10nm級制造技術(也稱為1X nm)生產DRAM產品，并將在不久的將來直接進入第3代10nm級工藝(也稱為1Z nm)。與此同時，美光去年在臺中附近開設了一家新的測試和包裝工廠，創建了全球唯一的垂直集成DRAM生產工廠之一。

　　此外，美光還宣布，計劃斥資20億美元在日本廣島附近的校園新建一間潔凈室。據報道，新的生產能力將用于制造采用美光13納米工藝技術的DRAM。

　　隨著越來越難以擴展新的制造技術(無論是在工程方面還是在財務挑戰方面)，與所有DRAM制造商一樣，美光將擁有多個10納米級節點。除了今天使用的第一代和第二代10納米級的工藝技術，鑒于現在面臨不同的發展階段，美光計劃引入至少四個以上為10nm級的制造工藝：1Z，1 α，1 β和1 γ (希臘γ，不是y)。

　　TechInsights的分析師表示，美光已經悄然開始使用其1Xnm工藝技術的die微縮版本的1Xs，這意味著美光10nm級的制造工藝的總數將超過6種。美光本身沒有證實這一點，但它表示，它在所有的生產設施中都有研發人員，以確保最高產量(和其他屬性)，這可能意味著不同晶圓廠可能存在相同節點的變化。

　　目前，美光公司正在加大其用于制造各種產品的第二代10nm級制造工藝(即1Y nm)，該工藝用于制造該公司的各種產品包括12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存儲器件。