六月初，在日本東京舉辦的超大規模集成電路研討會中，臺積電秀出了自家設計的一塊芯片。在參數方面，這塊芯片采用7nm工藝，尺寸為4.4x6.2mm，封裝工藝為晶圓基底封裝，采用了雙芯片結構，其一內建4個Cortex A72核心，另一內建6MiB三緩。
這塊芯片采用了一種雙芯片設計，這種技術可以通過添加額外的PHY來進行擴展，芯片不同單元間以及不同芯片之間可以形成互聯。每個小芯片具有15個金屬層。臺積電采用了四個Arm Cortex-A72內核，針對turbo頻率大于4GHz電壓操作，配備了高性能單元并定制設計1級高速緩存單元，這一模塊有兩個L2緩存塊，每個1 MiB，這些是使用它們的高電流位單元實現的，并以半速運行。此外，還有一個大型的6 MiB L3緩存，使用高密度位單元實現，并以四分之一速度運行。在1.2V的電壓下，Cortex內核可以達到4GHz，實測最高達到了4.2GHz。
臺積電稱，這款芯片是為高性能計算平臺設計，這也解釋其主頻為何如此驚人。雖然目前和世界主流芯片大廠有著一定差距，但近年來臺積電一步一腳印，有著厚積薄發的態勢。
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