在動態隨機存取內存（DRAM）工藝陸續進入1X及1Y工藝領域之后，全球 DRAM 龍頭韓國三星21日宣布，首次業界開發第3代10 納米等級（1Z 納米工藝）8GB 高性能 DRAM。這也是三星發展 1Y 納米工藝 DRAM 之后，經歷 16 個月，再開發出更先進工藝的 DRAM 產品。

　　據了解，新一代 1Z 納米工藝 DRAM，三星在不使用極紫外線光刻機（EUV）的情況下打造，這顯示三星進一步提高了 DRAM 的生產極限，并拉高競爭對手的生產門坎。隨著 1Z 納米工藝產品問世，并成為業界最小的內存生產節點，目前三星已準備好用新的 1Z 納米工藝 DDR4 DRAM 滿足日益成長的市場需求，生產效率比以前 1Y 納米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

　　三星表示，1Z 納米工藝 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生產時間將落在 2019 下半年，以因應下一代企業服務器需求，并有望能在 2020 年支持新高階個人計算機。除了提供市場需求，三星還指出，跨入 1Z 納米工藝的 DRAM 生產，將為全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 接口，包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等預做準備。這些具更高容量和性能的 1Z 納米工藝產品將增強三星在市場的業務競爭力，鞏固其高階 DRAM 市場應用的領導地位，包括服務器、圖形和行動裝置等領域。

　　另市場消息指出，與一家CPU制造商就8GB DDR4模塊全面驗證后，三星將積極與全球客戶合作，提供一系列即將面世的內存解決方案。為了滿足目前的行業需求，三星計劃增加主要內存生產比重。