編者按：近幾年來，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）材料為代表的第三代半導體器件研發(fā)進程不斷加快，最近兩年包括英飛凌、德州儀器、日本松下、安森美意法半導體等功率器件供應商，紛紛開始量產和供應氮化鎵半導體功率器件，從而即將拉開此類器件大規(guī)模普及應用的序幕。
作為業(yè)界最先被看好的第三代半導體材料，第一個氮化鎵器件直到2010年才實現(xiàn)商用，然而其特性帶給業(yè)界巨大的想像空間，氮化鎵功率器件市場預計將在2021年達到3億美元，2016年到2021年的復合年增率為86%。
因此，氮化鎵器件市場吸引了諸多參與者，這里面既包括EPC、GaN System、Transphorm、Navitas等初創(chuàng)新秀，這些初創(chuàng)企業(yè)大多選擇代工廠制造模式，主要使用臺積電（TSMC）、Episil或X-FAB作為首選伙伴。與此同時，有著截然不同特征的公司與功率器件行業(yè)巨頭如英飛凌、安森美、意法半導體、松下和德州儀器也都加快了研發(fā)步伐，紛紛拿出看家本領在氮化鎵功率器件競技場展開競爭。
氮化鎵功率器件領域最近引人關注的消息是，英飛凌公司宣布了其600V的CoolGaN增強型HEMT正式開始量產，同時配備了為其專門優(yōu)化的氮化鎵開關管專用驅動集成電路EiceDRIVER。
這款氮化鎵功率器件的推出，使得英飛凌成為目前市場上唯一一家提供涵蓋硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的全系列功率產品的公司。
英飛凌大中華區(qū)副總裁潘大偉興奮地對記者表示，CoolGaN作為英飛凌氮化鎵系列產品的品牌，未來將會助推英飛凌成為氮化鎵功率器件行業(yè)領導者。
英飛凌最新發(fā)布的CoolGaN 600 V增強型HEMT采用可靠的常閉概念，它經專門優(yōu)化，可實現(xiàn)快速開通和關斷。它們可在開關模式電源（SMPS）中實現(xiàn)高能效和高功率密度，其優(yōu)值系數(shù)（FOM）在當前市場上的所有600 V器件中首屈一指。
來自英飛凌科技奧地利股份有限公司資深市場營銷經理鄧巍博士，專程從國外飛來協(xié)助此次CoolGaN 600 V增強型HEMT在中國地區(qū)的發(fā)布，他用詳實的實驗數(shù)據介紹了這款最新氮化鎵產品，。
據鄧巍介紹，CoolGaN 600 V增強型HEMT在功率因數(shù)校正（PFC）變流器里具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％），相同能效下的功率密度可達到160 W / in3（3.6 kW LLC能效 > 98％），在諧振拓撲中，CoolGaN線性輸出電容可將死區(qū)時間縮短至八分之一到十分之一。
CoolGaN采用專利的常閉式概念柵極解決方案，使得器件可以實現(xiàn)更長使用壽命。CoolGaN開關的柵極電荷極低，且具有極少輸出電容，可在反向導通狀態(tài)下提供優(yōu)異的動態(tài)性能，進而大幅提高工作頻率，從而通過縮小被動元器件的總體尺寸，提高功率密度。
CoolGaN技術整合了英飛凌公司和其收購的IR公司的氮化鎵專利，同時聯(lián)合日本松下公司以及知名高校的創(chuàng)新成果，CoolGaN的專利技術只有英飛凌和松下有權使用。
潘大偉介紹，CoolGaN擁有行業(yè)領先的可靠性，在質量控制過程中不僅對器件本身進行全面測試，而且對其在應用環(huán)境中的性能進行全面測試，這確保了CoolGaN開關滿足甚至優(yōu)于最高質量標準。
為了更好地發(fā)揮CoolGaN 600 V增強型HEMT器件的優(yōu)異性能，英飛凌同時發(fā)布了與其配套使用的專用驅動電路EiceDRIVER，以確保CoolGaN開關實現(xiàn)強健且高效的運行，同時最大限度地減少工程師研發(fā)工作量，加快將產品推向市場。
據鄧巍介紹，不同于傳統(tǒng)功率MOSFET的柵極驅動集成電路，這個針對英飛凌CoolGaN量身定制的柵極驅動集成電路可提供負輸出電壓，以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處于關閉狀態(tài)的整個持續(xù)時間內，GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩(wěn)定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受噪音導致誤接通的影響，哪怕是首脈沖，這對于SMPS實現(xiàn)強健運行至關重要。
氮化鎵柵極驅動集成電路可實現(xiàn)恒定的GaN HEMT開關轉換速率，幾乎不受工作循環(huán)或開關速度影響，確保運行穩(wěn)健性和很高能效，大大縮短研發(fā)周期。它集成了電隔離，可在硬開關和軟開關應用中實現(xiàn)強健運行。它還可在SMPS一次側和二次側之間提供保護，并可根據需要在功率級與邏輯級之間提供保護。
寶威亞太電子（深圳）有限公司是第一批采用英飛凌CoolGaN 600 V增強型HEMT和驅動集成電路的企業(yè)之一，該公司成功設計了一款應用于數(shù)據中心的基于氮化鎵功率器件的6KW的AC/DC電源，其中使用了英飛凌8*8mm的IGLD60R070D1器件，這款貼片封裝的器件可以在效率、散熱和空間優(yōu)化方面提供了平衡的解決方案。
寶威亞太電子（深圳）有限公司研發(fā)部電子設計助理經理陳偉表示，采用氮化鎵功率器件完成電源設計需要新的設計方法和理念，特別是器件驅動電路的設計有很大變化，更需要得到器件供應商的技術支持。雖然傳統(tǒng)的電源設計方案更安全，但是同時滿足客戶高功率密度、高效率和小型化等需求時，氮化鎵功率器件是目前惟一的選擇。
展望氮化鎵器件的應用前景，潘大傳認為，在不同的目標應用中，電源領域是目前最大的應用市場。高壓和低壓氮化鎵功率器件為交流-直流（AC/DC）、隔離型直流（isolated DC/DC）、負載點（point of load）功能帶來附加值。電源領域將成為氮化鎵的主流應用，氮化鎵也將在電源領域發(fā)揮越來越重要的作用，如企業(yè)級超大規(guī)模數(shù)據中心服務器、通信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。