日前STMicroelectronics和CEA－Leti正在合作開發(fā)用于功率轉換的氮化硅 － 硅（GaN－on－Si）技術并試圖使其能夠實現工業(yè)化生產。這將使ST能夠達到其高效率，高功率的應用需求，包括用于混合動力和電動汽車（HEV ／ EV）的汽車車載充電器，無線充電和服務器。

此次合作的重點是在200mm晶圓上開發(fā)和驗證功率GaN－on－Si二極管和晶體管架構。研發(fā)公司IHS Markit同時預測，從2019年到2024年，市場的復合年增長率（CAGR）將以超過20％的速度增長。

在基于IRT Nanoelec的框架內，由CEA－Leti領導的研發(fā)團隊專注于利用微電子和納米電子的信息和通信技術（ICT），ST和Leti則正在共同開發(fā)Leti的200mm 研發(fā)生產線上的工藝技術，并預計能在2019年獲得通過驗證的工程樣品。與此同時，意法半導體將建立一條完全滿足生產要求的生產線，包括GaN ／ Si異質外延生產線，預計在2020年于法國圖爾的ST前端晶圓廠投產。

此外，考慮到GaN－on－Si技術在電源應用中的市場，Leti和ST正在評估先進技術，以改善高功率密度電源模塊組裝的器件封裝。

意法半導體汽車與分立器件產品部經理Marco Monti表示，“我們已經認識到寬帶隙半導體具有很高的價值，ST和CEA－Leti在功率GaN－on－Si制造和封裝技術方面的助力使我們擁有業(yè)界最完整的GaN和SiC產品和最優(yōu)的產品性能，憑借這些，我們足以批量生產高質量，可靠的產品。”

“利用Leti的200mm通用平臺優(yōu)勢，Leti的團隊將會投入到支持ST戰(zhàn)略性GaN－on－Si電力電子路線圖，并準備將該技術轉移到ST在圖爾的專用GaN－on－Si生產線上，”Leti首席執(zhí)行官Emmanuel Sabonnadiere說。同時他補充道““這項共同開發(fā)，涉及雙方團隊，因此利用IRT Nanoelec框架計劃擴大所需的專業(yè)知識，并從設備和系統層面開始創(chuàng)新是十分必要的。”

今年2月，意法半導體還宣布與美國MACOM公司開發(fā)用于射頻應用的GaN－on－Si， 以滿足MACOM在各種RF應用中的使用以及ST在非電信市場中的使用。目前RF GaN－on－Si 更適合150mm晶圓。并且由于它們產生開關損耗較低，因此GaN技術適用于更高頻率方向。