在功率半導體器件制造中通常使用的

　　金屬-半導體接觸

　　有肖特基接觸和歐姆接觸兩種。

　　金屬-半導體接觸的質量

　　對于器件性能起著至關重要的作用。

　　由于半導體材料的逸出功小于金屬材料，當金屬與半導體材料接觸時，半導體材料中的電子能夠掙脫電子核的束縛流入金屬，從而在半導體材料表面形成一個由帶正電的離子組成的空間電荷區。與PN結類似，正是由于空間電荷區勢壘的存在使得肖特基結具有整流特性。

　　除了應用在各種功率器件以及電路中，肖特基接觸還可以當做測試工具來用于研究金屬-半導體系統中的體缺陷以及表面特性。

　　理想因子n被定義用來評估勢壘區的缺陷以及表面特性。

　　當n=1時，表示勢壘區無缺陷，沒有復合中心存在，載流子幾乎不發生復合，正向電流以擴散電流為主，復合電流為零;當n=2時，表示勢壘區缺陷極多，載流子以復合運動為主，幾乎沒有擴散運動，正向電流只有復合電流。實際上，一般情況下，n的值介于1和2之間，n的值越接近2，就表示勢壘區的缺陷越多。因此，正向肖特基結常被用于研究半導體材料表面缺陷。

　　在實際測試過程中，我們通過結的正向I-V特性曲線來計算理想因子的值。

　　理論上來說，測試時只要知道位于對數曲線線性區的兩點對應的電壓和電流的值就可以計算出該結對應的區域的理想因子。

　　分母的值必然小于38.46，當分母值越接近38.46時，n值越接近1表示該區域包含的缺陷越少。

　　下圖為揚杰科技生產的碳化硅肖特基勢壘二極管的正向I-V特性曲線。

　　根據測試所得數據，計算n值約為1.09，接近理想值1，可以判斷該區域外延材料缺陷較少。