聯華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發和生產取代嵌入式內存的磁阻式隨機存取內存(MRAM)。同時聯華電子也將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司。

　　聯華電子根據此合作協議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發性MRAM區塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內存模塊整合至應用產品，并鎖定在物聯網、穿戴裝置、消費型產品，以及工業、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統單芯片(SoC)上。

　　兩家公司也正考慮將合作范疇擴展至28納米以下的制程技術，利用Avalanche 在CMOS技術的兼容及可擴充特性，運用到各個先進制程。使這些統一內存(非揮發性及靜態隨機存取內存SRAM)能順利地移轉調配到下一世代的高整合性的微控制器(MCU)和系統單芯片(SoC)上。如此一來，系統設計者就可以在同樣的架構及連帶的軟件系統上直接修改而不需重新設計。

　　Avalanche的執行長及共同創辦人Petro Estakhri表示：「我們非常高興團隊里有像聯華電子這樣的世界級半導體晶圓專工的領導者，帶給我們市場上最卓越的技術。」

　　聯華電子先進技術處洪圭鈞副總經理也表示：「聯華電子不斷推出持續精進的制程技術，以提升客戶的競爭優勢。而隨著嵌入式非揮發性內存NVM解決方案在目前的芯片設計界日趨普及，我們已經為高成長的行業，如：新興消費和車用電子應用的客戶，建立了強大且堅實的嵌入式非揮發性內存解決方案組合。很高興和Avalanche合作開發28納米MRAM，更期待能將此合作進程推升至聯華電子客戶的量產階段。」