物聯網革命帶來了諸多顯著影響，其中之一便是整合了數十年來各自獨立發展的各種技術生態系統。物聯網是一個規模巨大的超級系統，它通過龐大的網絡將數據從邊緣節點收集到云/數據中心并又將數據傳回邊緣節點，我們目前所設計的任何系統最終都會與任何其他正在設計的系統相連接。其所需的通信范圍之廣幾乎不可思議，而且大部分的通信都采用無線方式，越接近邊緣越是如此。

進行信號收發的設備差不多有數十億之多，而比RF頻譜更加擁擠、競爭更加激烈可能只有那些爭相想要從中大賺一筆的公司了。現代RF面臨著巨大的技術挑戰，而且其所需的工程技能和專業知識與RF/數字鴻溝的數字部分通常所需的基本上沒有共同之處。這意味著，很多系統設計人員都會在開放市場上尋找所需的RF技術。

如果您在過去三年左右的時間里一直忙于一個項目，那么您可能會驚覺于市場的巨大變化，并會好奇地問“Qorvo 到底是誰？”畢竟，擁有上千名員工、可提供各種芯片組合產品、市值120億美元的世界財富五百強半導體公司通常都不是在短時間內誕生的。但是，這家公司做到了。Qorvo由TriQuint半導體和RF Micro Devices合并而成，成立于2015年。TriQuint（最初是Tektronix的子公司）在砷化鎵 (GaAs) 半導體技術領域有著悠久的歷史，可追溯至上個世紀80年代中期。RF Micro Devices (RFMD) 成立于上個世紀90年代初，由ADI的幾名前員工創立，同時還是GaAs和氮化鎵 (GaN) 技術領域的先驅，其自創立之初就專注于RF設計，而TriQuint在早期則主要集中于數字GaAs技術的開發。

鑒于如今兒童對RF玩具的巨大需求，在制造從天線到模數轉換 (ADC) 級的射頻組件方面，采用GaAs和GaN絕對要比普通硅材料更為合適。最近幾年，CMOS硅基RFIC和絕緣硅片 (SoI) 技術都取得了諸多進展，但這些解決方案往往側重于集成而非性能，而對RF組件的性能需求卻在持續增加。

這意味著許多應用不會選擇（或者甚至無法）將RF部件與所有數字部分共同集成到單片SoC中，同時也指明了一個非常明確的突破方向，各大公司可以由此展開競爭，甚至第三方也得以受邀與垂直集成度最高的系統公司進行合作。憑借從兩家企業中繼承而來的數十年GaAs和GaN專業知識，Qorvo可以充分發揮自己的優勢。此外，如果CMOS能繼續在RF應用方面取得進展，那么Qorvo收購GreenPeak Technologies將能為公司帶來RF硅CMOS技術，確保Qorvo強大的射頻產品組合完全可以適應未來的發展。

考慮到千兆赫范圍內的各種信道像積木一樣堆疊在一起，RF系統的性能在很大程度上取決于濾波技術。表面聲波 (SAW) 濾波器曾是1.5 GHz以內頻率的首選技術，但隨著3G、4G和即將實現的5G需求的不斷上升以及WiFi設備的迅速增加，體聲波 (BAW) 已然成為了明智的首選。憑借在GaN等材料領域的傳統優勢、豐富的SAW和BAW濾波器技術以及多種創新封裝解決方案，Qorvo有望能在呈現爆發式增長的5G和物聯網RF市場與Skyworks等競爭對手一較高下。

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盡管不同RF域各自面臨的挑戰不同，但有一些貫穿整個頻譜的共同特點，這些特點對于整個電路板系統的設計至關重要。當然，濾波技術讓我們可以對大量的信道進行篩選，以免影響我們接收正確信號的能力。在智能手機等空間受限且信道擁擠的設備中，我們當前采用了WiFi、LTE、藍牙、4G/3G等各種標準，而隨著5G的到來，這一問題將會變得愈發嚴重。現在，讓您的客戶將新款智能手機放在雙頻2.4和5GHz多信道網格WiFi節點的頂部，再啟動旁邊的微波爐，然后等著重要的電話打進來，這時您便會對“共存濾波”的重要性產生全新的認識。也許，市場可以利用一點自己的共存濾波功能。

但對很多系統設計人員來說，如果只要將整個RF部件放入一個黑盒中，它就能神奇般地自己工作，這樣是最好不過的了。這很有可能就是RF的發展方向。前端模塊 (FEM) 將所有部件組合在一起。通常，FEM由功率放大器、低噪聲放大器、開關、混頻器和濾波器組成。例如，如果您正在制造移動設備，并且確實需要采用“瑞士軍刀”式集成方法，則可以選用將2.4 Ghz和5 GHz 802.11a/b/g/n/ac WiFi開關和低噪聲放大器集成于單個FEM的模塊。類似的集成水平還可以在不同應用領域間實現，其中包括移動設備、5G基礎設施、家庭和商業WiFi以及物聯網邊緣。

一方面，數字域與RF域在不斷集成，另一方面，RF專用技術的專業化程度在不斷提高，觀察這二者之間的競爭較量一定會很有趣。Qorvo等公司堅信RF性能的重要性無可比擬，即便集成水平不斷提高，也不會出現全硅CMOS單片全功能器件，即將所有RF功能集成到一個大的全功能SoC上。另一方面，高通等公司會繼續推動將越來越多的無線功能（包括數字和RF）與他們的解決方案相集成。

也許，隨著系統級封裝集成生態系統的不斷發展，這一對立局面會得到緩解，進而能夠設計出高性價比的SiP，可輕松地將數字CMOS小芯片與GaN或其他RF友好型工藝器件進行融合與互連，既讓系統設計人員在系統的每一部分獲得全球最好的半導體工藝，同時又保留通過SiP進行集成的優勢。盡管與單片硅相比，SiP的系統成本尚未達到能夠讓許多應用轉而采用它的可接受程度，但SiP在不久的將來就可實現商品化，并還會有穩健的設計流程支持。

我們希望這一切能盡快實現，以免CMOS這頭貪婪的巨獸讓這一系列極具前景、充滿價值的有趣技術徹底喪失活力。RF技術在智能時代的重要性會繼續提高，這是不可避免的，但也可以說是一種令人悲哀的倒退。