推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON) 發布了一系列新的超低噪聲低壓降穩壓器(LDO)，具有業界最佳的電源抑制比(PSRR)，能在噪聲敏感的模擬設計中實現更好的性能。新的NCP16x系列，連同其汽車變體器件同時符合AEC-Q100車規的NCV81x，在各類應用中提供更好的性能，如汽車先進駕駛輔助系統(ADAS)圖像傳感器模塊、便攜式設備和包括802.11ad WiGig、藍牙和WLAN的無線應用。

　　NCP16x系列包括四個輸入電壓范圍從1.9到5.5伏特(V)的器件以支持各種不同的終端應用。輸出電流250毫安(mA)、450 mA和700 mA，采用相同封裝，使設計易于擴展。98分貝(dB)的超高PSRR阻止不想要的電源噪聲到達敏感的模擬電路，而6.5微伏(uV)均方根的超低噪聲無需額外的輸出電容。

　　新的LDO穩壓器具有80毫伏(mV)的低壓降，支持和幫助延長電池供電的終端產品的使用壽命。空載靜態電流僅為12微安培(uA)，進一步增強此特性。這些器件可提供1.2 V至5.3 V的固定輸出電壓，在整個應用范圍內的精確度為+/-2%。僅1 uF的輸入輸出電容實現穩定的工作，能降低系統成本和體積。

　　新器件系列采用了一種新的專利架構來實現超高的PSRR性能，并擴展了安森美半導體在這一領域的領先地位，在寬頻率范圍(10 kHz至100 kHz)提供高PSRR對于終端應用性能非常重要。例如，在ADAS相機的圖像傳感器應用中，NCV8163通過濾除電源噪聲來改善圖像質量，避免電源噪聲損壞施加到像素的電壓信號。在無線應用中，如WiGig 802.11ad，NCP167既具備超高PSRR又有超低噪聲，確保系統的每比特供電能效能通過提供干凈的電源來實現。

　　安森美半導體高級產品業務總監 Tim Kaske說：“這一系列新的超低噪音LDO大大提高了PSRR，比一些傳統的LDO高 30 dB。我們的客戶對他們能夠以這個新產品系列達到的新的性能水平感到興奮。LDO仍然是低電流應用的最佳方案，其小體積和現在更高的PSRR性能水平及低噪聲，是噪聲敏感的射頻(RF)和圖像傳感器應用的理想電源管理方案。例如，我們有越來越多的圖像傳感器參考設計使用這一新的LDO系列。安森美半導體提供的整個系統級應用使工程師能夠迅速實施當今市場上最高圖像質量的傳感器方案。”

　　NCP16x采用TSOP-5、XDFN-4和WLCSP-4封裝。其汽車變體器件NCV816x采用TSOP-5和XDFN-4封裝。所有器件均適用于現代高密度設計。