由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺正式進(jìn)場安裝。

　　這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，中國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)。這亦為武漢市以及東湖高新區(qū)打造以芯片-顯示-智能終端為核心的萬億級高端消費電子產(chǎn)業(yè)集群目標(biāo)邁出的關(guān)鍵性一步。

　　據(jù)悉，國家存儲器基地于去年成功研發(fā)中國首顆32層三維NAND閃存芯片，并榮獲中國電子信息博覽會（CITE2018）金獎。這顆耗資10億美元、由1000人團(tuán)隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，將有望使中國進(jìn)入全球存儲芯片第一梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。

　　為填補國內(nèi)主流存儲器領(lǐng)域空白，保障國家信息安全，國家存儲器基地項目于2016年12月30日在武漢未來科技城正式開工建設(shè)。

　　該項目一期規(guī)劃投資240億美元，占地面積1968畝，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的三維NAND Flash生產(chǎn)廠房，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強度超過3萬美元。其中一號生產(chǎn)及動力廠房已于去年9月提前封頂，年內(nèi)即將投入使用。項目（一期）達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元，有望解決我國受制于他人的“工業(yè)糧食”痛點問題，并帶動國產(chǎn)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)迅猛發(fā)展。

　　據(jù)了解，目前東湖高新區(qū)已聚集以長江存儲、武漢新芯為龍頭的集成電路企業(yè)百余家，2017年實現(xiàn)主營業(yè)務(wù)收入135億元，專業(yè)從業(yè)人員近萬人。未來，在加快實現(xiàn)存儲器芯片量產(chǎn)的同時，東湖高新區(qū)還將加大設(shè)計、設(shè)備、材料、封測、存儲控制等企業(yè)的招引力度，打造存儲器全產(chǎn)業(yè)鏈。

　　在發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的同時，武漢東湖高新區(qū)還以武漢天馬、武漢華星光電為龍頭，推動新型顯示領(lǐng)域發(fā)展，以華為、聯(lián)想 MOTO、小米為龍頭，推動智能終端領(lǐng)域發(fā)展，目標(biāo)是在“芯片-顯示-終端”核心領(lǐng)域，聚集一批龍頭企業(yè)和優(yōu)質(zhì)中小企業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展策源地，打造完整產(chǎn)業(yè)生態(tài)，形成萬億產(chǎn)業(yè)集群。