2017年被動元器件如MLCC、功率器件MOSFET、存儲芯片NANDFlash、DRAM等缺貨最為突出。針對缺貨較為嚴重的這幾類產品，記者采訪了代表性的原廠和分銷商，一起來聽聽他們對2018年的市場預判。
1、MLCC：原廠重心轉至汽車與工業 中低容MLCC將缺貨至Q4
從供應端來看，日韓系廠商將業務重心轉向工業、新能源汽車及醫療等高端市場，逐漸淡出0．1uf－1uf的低容市場，是2017年MLCC缺貨的一大原因，加上三星MLCC廠房搬遷的影響，令MLCC市場供應“雪上加霜”。
深圳市宇陽科技發展有限公司營銷中心副總經理鄭春暉
深圳市宇陽科技發展有限公司營銷中心副總經理鄭春暉表示，日韓系大廠放棄了1uf以下中低容MLCC市場往車載、工業等領域轉移，是導致當前中大尺寸低容MLCC缺貨的主要原因。目前，TDK已經完全放棄了消費類市場專攻汽車和工業，三星、京瓷和太誘前兩年都已經在轉移重心了，村田也在逐步放棄1210、1206等中大尺寸低容市場。事實上，2017年，低容市場的缺貨也讓這些巨頭措手不及，當然，它們也不可能再回頭針對這些已經放棄的市場重新開出產能。因此，日韓系的戰略轉移給了臺系和陸系廠商機會。
京瓷（中國）商貿有限公司副總經理東山清彥坦言，目前，京瓷MLCC產品線不是特別豐富，主要是針對高端市場的小型化和高容的產品。
從應用端對MLCC的性能要求來看，汽車、工業、醫療等應用比消費類應用要求高很多，就拿溫度來說，MLCC在消費類電子應用的溫度只需達到85度，而汽車類應用要求達到125度、150度甚至200度，同時，汽車對MLCC的可靠性與測試環境要求也更嚴格。日韓系大廠在MLCC材料、設備和技術積累上也更有優勢，專攻高端市場亦是情理之中。
從需求端來看，鄭春輝表示，MLCC缺貨和漲價得益于智能手機對MLCC單機搭載量的提升、無線充電需求的暴漲、物聯網中Wi－Fi等無線傳輸模塊需求量的增長以及網通產品的爆發帶來的利好，同時純電動汽車對MLCC需求量的驚人增長也是MLCC供應緊張的原因。
據風華高科相關人士透露，截至2017年底MLCC的缺口達到1000－2000億只，在尺寸上0402、0603、0805、1206等中大型號供應更為緊缺，主要得益于移動通信、汽車與LED市場的拉動，而智能手機無線充電用的NPO MLCC料號，漲幅更是在10倍以上，不過這顆NPO料號即便價高也無貨供應。
記者獲悉，截至2017年底，部分MLCC廠商已經停止接單，而仍在繼續接單的廠商，交貨周期也是一再延長。大陸廠商的交貨周期由之前的4－6周變為現在的8－12周，臺系廠商交期延長至12－16周，日系廠商的交期甚至延長到24周。
2017年MLCC缺貨與漲價持續了整年，隨著2018年到來，三星電機、村田以及宇陽等上游原廠依舊看好這波行情，并稱MLCC緊俏的行情可望延續到2018年年底。
村田（中國）投資有限公司總裁丸山英毅從兩方面解讀了市場對MLCC需求的增長。一方面，智能手機市場雖然已趨于飽和，但輕薄化和新功能的加入不僅對MLCC有更多的需求，還對MLCC的品質提出了更高的要求；另一方面，PC、游戲機、物聯網等領域對MLCC也有較大的需求。同時，在蘋果iPhone增加無線充電功能之后，市場對NPO MLCC的需求也快速上升，這也使缺貨和漲價情況更加嚴峻。可以預見的是，2018年MLCC將會持續缺貨，并且缺口將比2017年更為嚴重。
臺灣MLCC巨頭國巨曾表示，2018年MLCC供需狀況持續緊缺，受新型智能手機拉貨動能強勁，高毛利車用電子及工業級MLCC產品出貨比重提升。鑒于此，國巨將提高利基型MLCC產品比重（大約在10％－15％之間），行情可延續到2018年底。預計2018年國巨業績可望較2017年成長15％－20％，或創歷史新高。
事實上，國巨在2017年已經4度調漲部分品項MLCC產品價格，其緊缺的MLCC產品包括高容、低容和高壓的MLCC品類。在2017年第四季度，國巨發布漲價通知，針對通信、工業用NPO MLCC調漲報價20－30％，該應用將以手機、手機充電器、電源供應器等產品為主，約有15％的MLCC規格受惠。
“解決缺貨問題最有效的措施當然是提升產能”，丸山英毅表示村田在看到MLCC缺貨的情況之后已經動用了所有可以使用的資源去滿足市場需求，包括提供庫存以及提升產能。提升產能方面村田有長期的計劃，例如在2017財年有2600億日元的設備投入來提高產能，未來還將持續投入，但產能的提升并非立竿見影，工廠的建設和投產都需要時間。“由于MLCC的需求仍在保持兩位數增長，我們的產能2018年年底才能有明顯提升”。
某原廠預計，MLCC缺貨緩解時間是2018年底，在擴充產能方面，原廠都比較謹慎，因為在設備采購、人工成本上都不小的投入，設備購買運輸也需要時間，且明年的市場需求現在不能完全看清。以前MLCC的生產周期是21天，從下訂單到出貨在一個月左右，而現在是六個月，部分廠商已經停止接單。相對而言，中小型客戶將缺貨更嚴重，大型客戶因跟原廠有供貨協議，因此不會遭受太高的漲價幅度。
鄭春暉也表示，2018年Q4并不是所有的型號都可以得到緩解，預計2018年智能手機對MLCC仍將維持2017年的需求量，但電動汽車、物聯網對MLCC的需求將在2017年的基礎上仍會有大幅增長。在擴產計劃上，鄭春暉預計原廠對小尺寸封裝的MLCC的擴產會多于中大尺寸的擴充，用于無線充電的NPO料號目前缺口最大，但會在各家的相繼投產中逐步緩解緊缺危機。
2、NAND Flash：3D制程轉進結束 2018價格下探 2019恐供過于求
硅晶圓供不應求和晶圓代工廠新制程轉進，是2017年存儲芯片缺貨與漲價的直接原因。上半年，三星、美光等DRAM制造正式進入1x／1y納米時代，3D NAND也開始全面進行投片，導致8寸和12寸硅圓供給日益吃緊，加上大陸半導體晶圓廠亦開始大幅度搶貨，缺貨程度愈發緊張。
NAND Flash缺貨的又一原因在于，服務器、PC和智能手機所搭載的存儲容量需求的翻倍。以智能手機用NANDFlash為例，2017年，排名前8的手機廠商都采用了中大容量閃存，中端機型一般是32G起步，高端機型在蘋果iPhone的引領下多采用64G和128G。單機搭載容量的翻倍增長，必然以增加3D NAND堆疊層數為代價，進而導致NAND Flash對硅晶圓的需求數倍增長。相對國內主流的品牌機型，出口海外的手機容量仍以8G和16G為主，而這部分產品仍集中在2D制程，除此2D制程仍會滿足車載、POS機等行業客戶的需求。
從2017年工藝制程的轉進來看，2017年上半年仍以2D為主，下半年已全面轉向了3D。3D比2D有成本優勢，且隨著良率的提升這種優勢會被無限放大，以32G NAND Flash為例，3D工藝要比2D節省18－20美金，這必然加速原廠將制程從2D向3D轉進。
深圳市江波龍電子有限公司產品中心嵌入式產品經理李中政告訴記者，目前32G、64G和128G都已全面采用64層3D NAND Flash工藝，且32G已經成為市場應用主流，預計2018年3月，三星第四代3D NAND Flash以及東芝第三代3D NAND Flash開始批量量產，屆時NAND Flash產能就會趨向穩定。預計2018年5－6月份，隨著產能的穩定，3D NANDFlash價格會有所下降。
從3D NAND Flash的主流應用來看，2018年3D會率先普及SSD固態硬盤和T卡，并以48層和64層為主，待SSD固態硬盤和T卡等穩定性提高之后，才會普及到智能手機等嵌入式產品。
“隨著供應商3D NAND Flash良率逐步改善，預計2018年Q1整體供需將出現轉變。”Cinno產業咨詢部副總經理楊文得預計，2018年，2D NAND Flash會全面轉向3D NAND Flash，預計3D與2D的產出比例為8：2。2018年NAND的主要成長仍將依賴服務器、云儲存以及車載的快速增長。國內阿里、百度、騰訊與國外谷歌、亞馬遜等巨頭對大數據和服務器存儲的需求上揚，將促使SSD在云服務器的應用得到持續增長。
李中政也表示，隨著存儲巨頭將8成的產能都轉向3D NAND Flash，預計2018年Q2左右3D NAND Flash價格會逐漸下探至理性水位。不過由于存儲巨頭逐漸減弱2D產能，仍適用于汽車的高可靠性2D NAND Flash依然會供應吃緊，價格自然也不會有明顯下調。
目前，三星的3D NAND的產能已經占到自家總產能的70％甚至更高，其他諸如美光、東芝、海力士的3D NAND Flash占比僅20％，但3D制程已成是主流趨勢，2018年下半年會逐漸起量。
從未來各大巨頭的擴產趨勢來看，除東芝剛宣布新建的Fab 7以及已興建中的Fab 6以外，為應對旺盛的服務器SSD需求，英特爾也將擴建大連廠二期，目標在2018年底增加一倍的3D NAND Flash產能。同時，三星將擴建西安廠二期，持續放大在中國生產3D NAND Flash的能量。SK海力士則將在韓國清州廠區另外興建一座新廠M15，同樣以投產96層以上3D NANDFlash為目標，預計2019年正式進入營運。
楊文得也預計2018年3D NAND的產出會不斷加載，良率也會提升很多。隨著3D產能的不斷釋放，預計2018年一整年3D NAND的價格將比2017年下跌15－20％。而在中國大陸，長江存儲將于2018年下半年投產32層3D NAND Flash產品，并致力于64層產品的開發，以拉近與其他供應商之間的差距。不過，相對國際存儲巨頭，長江存儲的32層3D NAND Flash最早也要到2019年Q2或Q3才會有真正的產能開出。
DRAMeXchange特別分析指出，基于各大供應商都在擴充3D NAND Flash產能，預計2019年以后3D NAND Flash市場恐將再度陷入供過于求的格局，至于2D NAND Flash因供應商陸續轉產，僅維持較低比重以滿足工規需求，因此2D市場將逐漸轉變為利基市場。
3、DRAM：“寡頭”優勢延續 產能限量開出 價格持續暢旺
從全球DRAM市場競爭格局來看，三星、SK海力士和美光共囊括全球了95％以上的市場份額，在供應端擁有絕對的話語權。業界均預測，從三大巨頭欲持續盈利的角度考慮，2018年DRAM產能輸出恐仍將吃緊，漲價仍在所難免。
據業內權威機構提供的數據來看，DRAM的平均售價已由2016年4月的2．41美元攀升到2017年2月的3．7美元，漲幅高達53．3％。從產品毛利率來看，供應智能手機DRAM的毛利率已高達50％－60％，依靠這些價格高漲的DRAM產品，三星2017年前三季度的利潤高達338．1億美元，同比增長92．3％。
Cinno產業咨詢部副總經理楊文得預計，2018年三星、SK海力士和美光依然會以獲利為主要考量，因此不會明顯開出更多DRAM產能，可見2018年DRAM仍將維持一定幅度的漲勢，漲幅約為10－15％。從應用端來看，服務器需求將受益于AI、VR／AR以及車載對運算力的升級而持續增加，因此他持續看好DRAM在2018年的漲勢。
三星、SK海力士和美光幾乎占據了全球98％的DRAM市場份額。集邦科技行動式記憶體研究經理黃郁琁表示，2018年三家DRAM大廠的產出仍將十分有限，她預計服務器使用的高效能DRAM與智能手機使用的低功耗、高密度DRAM缺貨情況仍會相當明顯。她預計2018年上半年DRAM價格都會是上揚態勢，直到三星平澤廠有些許DRAM量產后，全球DRAM供應才會有所改善。
黃郁琁預計，2018年的移動式DRAM會從LPDDR3轉換到LPDDR4，一是因為高通、華為的高端手機芯片平臺要求搭載性能更強的LPDDR4芯片，促使終端手機廠商不得不升級DRAM的搭載標準；二是三星、SK海力士和美光三巨頭的產品規劃本身也是朝著LPDDR4演進。不過她也表示，由于三大巨頭的價格都非常強勢，阻擋了DRAM容量提升的幅度，所以2018年LPDDR3仍會在市場徘徊一段時間才會進入LPDDR4，而更先進的LPDDR4X和LPDDR5系列預計要到2019年才會真正普及。
事實上，2016年前DRAM漲價幅度已經達到了30％，2017年搭載8GB DDR4 DRAM的旗艦機寥寥可數，只因終端廠商難以承受高漲的價格而保守選用了低容量的LPDDR3。2018年DRAM價格仍會持續上漲，所以LPDDR3仍會在市場有一定時間的停留。黃郁琁預計2018年DRAM市場需求量仍會有14％的成長，2018年原廠營收至少還要增長27％。
雖然往年Q4和Q1是DRAM市場的淡季，但由于DRAM的供貨將持續緊張，黃郁琁建議目前相關廠商可以備一兩周的庫存了，待到2018年三星平澤廠DRAM產能釋放出來，原廠供貨才會舒緩一點。從服務器、PC和手機三大DRAM需求大戶來看，預估2018年Q1智能手機搭載的DRAM價格會向PC靠攏，但不會像服務器需求的DRAM價格那么高，而這樣的狀況會延續2018整個上半年。
4、MOSFET：無線充電需求爆發 MOSFET供應告急Q4初步緩解
據記者了解，下游應用需求諸如新能源汽車、藍牙音箱、智能家居、快速充電、無線充電等市場增速的加快，是導致金屬半場效晶體管（MOSFET）缺貨的直接拉動力，特別是在iPhone X搭載無線充電技術的帶動下，無線充電市場對電源IC、MOSFET等的需求與日俱增。
隨著2017年Q3元器件需求旺季的到來，MOSFET的供不應求開始加劇，產業鏈不同環節均開始漲價。不僅是英飛凌、安森美等國際大廠發出漲價通知，大陸最大的MOSFET廠商長電科技2017年連續3次漲價，累積調漲幅度10－30％。在長電大漲MOSFET價格后，其它供貨商如大中、尼克松、富鼎等臺系MOSFET廠商立刻全面跟進漲價。
深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經理陳金松表示，MOSFET主要有三個方面的缺貨原因：一是硅材料的漲價導致晶圓片價位高企，相應的中芯國際、華虹－宏力等晶圓廠也跟著漲價；二是封測環節所需的包材、樹脂粉等材料價位不斷高企，封測廠跟著水漲船高；三是指紋識別芯片與第三代身份證IC需求量呈爆發式增長，且這塊的利潤比MOSFET更為可觀，晶圓廠和封測廠將更多的產能轉移到指紋識別與第三代身份證芯片，直接導致了MOSFET供應緊缺，漲價成了必然。
記者獲悉，低壓相比中高壓MOSFET更缺，國際IDM廠陸續淡出計算機及消費性電子的中低壓MOSFET市場，產能移轉至汽車電子中高壓MOSFET市場，或是轉向量產絕緣閘雙極晶體管（IGBT）或超接面（Super Junction）組件，是中低壓更缺貨的原因。
從交期上來看，根據富昌電子2017年Q4的市場分析報告指出，針對低壓MOSFET產品，英飛凌、Diodes、飛兆／安森美、安世、ST、Vishay的交期均延長至16－30周；針對高壓MOSFET產品，除IXYS和MS交期穩定之外，英飛凌、飛兆／安森美、ST、羅姆、Vishay交期也均有延長。
華科半導體負責人李婷在接下來的應對策略上，華科半導體負責人李婷表示，一是盡量將訂單計劃提前，二是尋找新的產業鏈合作伙伴以補充貨源。國內MOSFET晶圓供應商不多，高壓主要有士蘭微、華微、華晶等，低壓主要有華虹、深圳本土的深愛等幾家。目前高壓MOSFET晶圓集中在6寸片，8寸片還沒真正成熟，不過士蘭微已經啟動8寸片的產線，預計兩年內可實現產能的成熟。
MOSFET漲價何時能得到緩解？陳金松表示可能要到2018年Q4，待國內12寸晶圓量產之后，將8寸的產能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產能，漲價仍會持續，只是漲價幅度不會像2017年這么大了。
與此同時，MOSFET國產化替代的趨勢整在加強。以前，電源用的MOSFET多采用國外品牌，如美國A／O、臺灣茂達、富鼎之類的廠商，而近些年電源廠商逐漸朝著國產MOSFET靠攏，而這個趨勢越來越明顯。陳金松告訴記者，A／O訂貨周期以前在4－6周，目前需要12周以上。相比之下，本土MOSFET品質在逐年提升，本土化的技術支持、交貨周期也更靈活，終端廠商逐漸開始青睞國產MOSFET。
國際巨頭在逐漸退出消費了市場之后，逐漸將重心轉向利潤空間更高的工業和醫療領域，給了國產MOSFET很大的市場機遇。相對而言，國際巨頭在MOSFET產品的性能參數、可靠性、使用壽命等方面還是有一定的優勢。不過，國內廠商在成本控制、本土化服務、交貨后期等方面優要于國際巨頭，因此在中低壓消費類市場迅速占領了主導地位，國產化替代也在不斷加速。
5、其他
除了上述4大類缺貨最為嚴重的半導體元器件，2018年初行業爆出諸如電阻、電感等被動元器件、電源管理芯片、LED驅動芯片也出現了不同程度的缺貨。
記者獲悉，2018年元旦前后，國內外原廠就發布了新的漲價通知，主要集中在MOSFET、電源管理IC、LED驅動IC等產品，部分產品漲幅達到了15％－20％。2018年年初的這一波IC和元器件的漲幅，正式掀開了2018年半導體持續供應緊缺的序幕。