近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司成功過會，獲得發行上市資格。中微公司成立于2004年，聚焦集成電路領域的等離子體刻蝕設備、深硅刻蝕設備和LED芯片領域用薄膜沉積（MOCVD）設備等關鍵設備的研發、生產和銷售，是我國集成電路設備行業的領先企業。

成長之路的艱辛與曲折

中微能有今天的成就，離不開尹志堯十多年的探索和付出。本科畢業于中科大的尹志堯，在拿下北京大學化學系碩士學位之后赴美留學，在加利福尼亞大學洛杉磯分校拿到了物理化學博士學位后，尹志堯進入了美國硅谷工作，先后在因特爾公司、泛林半導體公司、應用材料公司等工作了16余年。

2004年，尹志堯回國創業，創辦中微半導體。隨后，尹志堯此前就職過的應用材料公司認為其有竊密之嫌，就將中微半導體告上了美國法庭，但應用材料公司沒有找到相應的證據，這場官司最終得到和解。

2009年，泛林半導體又狀告中微半導體專利侵權，糾纏了四年之久，事件出現了大反轉，中微半導體拿出了泛林半導體竊取機密的證據，反告泛林半導體，并取得了勝利。

經歷兩次失敗之后，美國并沒有就此罷手，又企圖從供應鏈上來遏制中微半導體的發展。2017年，美國一家LED設備廠商Veeco狀告中微半導體的MOVCD石墨托盤供應商侵犯了其專利，要求其停止對中微半導體供貨，在這一次的博弈當中，也以Veeco妥協而告終。

面對美國三番兩次的打擊，中微公司并沒有因此而停滯發展的腳步，相反，中微公司在刻蝕設備和薄膜沉積設備領域取得突破性進展，并且一發不可收拾。

打破國外壟斷，躋身世界半導體廠商前列

刻蝕設備和薄膜沉積設備是晶圓制造十分重要的設備，此前一直被西方發達國家所壟斷，有一段時間還被作為出口管制產品。中微公司打破了這種受制于人的情況，研制出國內第一臺電介質刻蝕機，是我國集成電路設備行業的領先企業。

中微公司十多年來一直深耕芯片制造刻蝕領域，其生產的刻蝕設備和MOCVD（有機金屬化學氣相沉積法）設備代表我國刻蝕和薄膜沉積設備最高技術水平：

2007年推出雙反應臺Primo D－RIE，適用于65－16納米工藝節點；

2010年成功開發電感等離子體深硅刻蝕設備Primo TSV，采用雙腔設計，支持12英寸和8英寸無縫切換；

2011年推出雙反應臺Primo AD－RIE，適用于45－7納米工藝節點；

2013年推出單反應臺Primo SSC AD－RIE，適用于45－7納米工藝節點；并滿足16 納米以下 2D 閃存芯片制造；

2016年首臺ICP刻蝕設備產品Primo nanova研制成功；

2017年推出Primo AD－RIE－e，適用于7納米工藝節點。

去年12月，中微公司自主研制的5納米等離子體刻蝕機正式通過臺積電驗證，將用于全球首條5納米制程生產線，預計將在2020年實現量產。

如今，中微與泛林、應用材料、東京電子、日立4家美日企業一起，成為全球最先進芯片生產線供應刻蝕機企業。

薄膜沉積設備（MOCVD）是一種高端薄膜沉積設備，主要用于藍綠光LED和功率器件等生產加工，是LED器件加工中最關鍵的設備。

中微公司于2010 年開始開發MOCVD設備，2012年首臺MOCVD設備Prismo D－Blue研制成功、2017年推出第二代設備Prismo A7，目前正在開發第三代更大尺寸設備。

此前，國內市場一直被美國維科（Veeco）和德國愛思強（Aixtron）兩家供應商長期壟斷，花了短短9年的時間，中微從幾乎為零的國內市場占有率到實現超過70％的市場占有率，一舉打破長期以來受制于人的局面。

不斷突破自我，實力更加強大

縱觀中微的發展歷程，可以說是充滿了曲折與艱辛，但是這些磨難沒有阻止中微飛速前進的步伐，反而激勵中微不斷進行突破，變得更加強大。

到目前，中微憑借自身的實力，擁有一大批客戶，刻蝕設備的主要客戶有臺積電、中芯國際、聯電、SK海力士、長江存儲、意法半導體等，薄膜沉積設備主要客戶包括三安光電、璨揚光電、華燦光電、乾照光電。

目前，全球集成電路產業正在向中國轉移，中國也越來越重視集成電路的發展，將其視作國家戰略并出臺了一系列的優惠政策，如今科創板過會，中微公司將獲得等多資金來投入研發，在此大好機遇下，中微有望成為一個國際一流的半導體裝備制造企業。