2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel／美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。 而根據外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座閃存工廠（Fab7），地點就在日本的四日市（Yokkaichi）。

事實上，目前東芝的第 6 座工廠（Fab 6）正在建設當中，預計將于 2018 年第 4 季完工。 不過，面對市場的強烈需求，東芝擴產的步伐似乎還不打算停下來。 因此，東芝在 21 日宣布，將投資 70 億日圓用于 Fab7 廠的興建，選址就位于日本四日市。 日前，東芝才就出售半導體業務一事已經和威騰電子握手言和，達成協議。 未來東芝需要威騰電子的數據提供，以使得 2018 年的新先進芯片生產線進行投產，以此競爭對手和三星、Intel、及 SK 海力士競爭。

報導進一步指出，目前數據中心和企業服務器強勁 NAND Flash 閃存需求，已經促使東芝擴大在四日市的設備規模。 而且，其他 NAND Flash 閃存供貨商，包括了三星與 SK 海力士在 2017 年都宣布完成或開始新廠建造計劃。

目前，東芝主要以生產 64 層堆棧的 V-NAND 閃存為主，未來計劃在下一步升級到 94 層 V-NAND 閃存生產。 而除了 TLC 規格之外，也將還會有特別的 QLC 規格產品，目的就是為了加強產品的滲透力以提升市場競爭力。

而對于將興建 Fab7 廠，東芝預計在 2018 年 2 月完成新廠的土地的收購作業，同時會下單建筑材料和基礎設備。 據了解，東芝還將根據市場趨勢，成立東芝儲存巖手縣公司，以管理工廠的建設和運營。 整體廠房興建計劃將在 2018 年底前完成，2019 年之后逐步安裝設備，并且在年底前開始生產。