據三星電子于11月29日宣布，開始大規模量產以第2代10nm FinFET制程技術（10LPP）為基礎的單芯片系統（SoC）產品，其搭配該單芯片系統的電子產品，也預計將在2018年首季問市。

　　三星表示，針對低功耗產品所研發的10LPP技術，相較于第1代的10LPE，10LPP的制程可使性能提高10%，功耗降低15%。而且，由于該制程是延續于已經量產中的10LPE制程，所以將可以大幅縮短從開發到大量生產的準備時間，并提供更高的初期生產良率，因此更具有市場競爭優勢。

　　三星進一步表示，采用10LPP制程技術制造的產品，預計將于2018年首季推出相關的電子產品。三星電子代工市場行銷副總裁RyanLee表示，通過從10LPE制程向10LPP制程的邁進，三星將能夠更好地為客戶提供服務，同時提高性能，提高初期產量。

　　同時，三星宣布，位于韓國華城的最新S3生產線，目前正準備加速生產10納米及其以下制程技術。S3是三星晶圓代工業務的第3座晶圓廠，其它2座分別是位于韓國京畿道的器興（Giheung）的S1，以及位于美國奧斯汀的S2。根據規劃，三星的7納米FinFET制程技術與EUV（ExtremeUltraViolet）技術也預計將在S3晶圓廠中于2018年開始大量生產。

　　IC Insights近日發布指出，三星今年在半導體產業支出達到260億美元，是去年支出的兩倍還多，其中用于晶圓代工/其他的資本支出達50億美元，專門用于提升10納米制程能力。目前來看進展順利，有消息稱，三星 8nm LPP 制程工藝的技術驗證工作也已完成，將于不久之后大規模量產。三星表示，相比于 10nm 制程，全新 8nm 制程的芯片不僅面積能縮減 10%，功耗也能降低10%。該工藝正式投產后，將會定位于高端旗艦市場。至于具體商用時間，三星表示會在隨后于全球各地舉行的三星半導體論壇上與 7nm EUV 光刻工藝進展一同公布。