三星方面宣布其將推出4層單元閃存，即QLC NAND芯片。目前容量最高的閃存單元是具有每單元容納3 bits的TLC（三層單元）。然而由于QLC芯片所用材料較TLC而言，其讀寫速度更慢且使用壽命也更低，所以QLC芯片的制備難度也隨之增大。

SSD可并行訪問多塊晶片以提升訪問速度，同時還能夠憑借冗余配置以延長其耐用性。

迄今為止，東芝公司與西部數據公司，東芝方面的代工合作伙伴已經開始運行配有768 Gbit容量的QLC芯片產品生產線。而如果該合資企業沒有因為東芝方面出售其存儲器業務而引發關系決裂，那么該芯片預計將于明年推出。

一位三星員工在接受Business Korea采訪時表示：“盡管目前QLC NAND閃存尚未進入批量生產階段，但公司內部已經開始著手進行這方面的準備工作了。”

此外，QLC NAND芯片將采用三星公司的V－NAND（3D NAND）技術，并且其晶片容量將可達到1 Tb（128 GB）。據了解，該芯片將會采用三星公司的第五代V－NAND技術，并且由于該技術的第四代為64層V－NAND，那么其第五代將可能達到96層。

在此之前，三星還曾談到一款容量為128 TB的2．5英寸QLC SSD。另外，SK海力士也在準備推出QLC閃存芯片。

根據HIS Markit的統計報告顯示，QLC閃存芯片預計應該于2018年第一季度推出，且其市場份額在2018年底之前將達到5．1％，2021年則可能達到30％。

如果QLC定價明顯低于TLC，那么其將開創適用于QLC的全新使用環境，具體包括高容量與快速訪問近線閃存，低訪問延遲歸檔或對象存儲等。