全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術的游戲規則。

據Semi Engineering網站報導，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場的巨大轉變，因為到目前為止，只有Everspin已經為各種應用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write Cache)等。

STT-MRAM的下一個大好機會就是嵌入式存儲器IP市場，NOR Flash是傳統嵌入式存儲器，隨著制程從40nm進展到28nm，NOR Flash已經出現各種各樣的問題，因此，這些代工廠的支持可以將STT-MRAM轉變為先進節點的替代技術。

GlobalFoundries嵌入式存儲器副總裁Dave Eggleston表示，嵌入式快閃存儲器將繼續作為資料保存技術主流，特別是汽車和安全應用領域，嵌入式快閃存儲器將會有很長的使用壽命，但沒有擴展空間，當達到28nm制程以上時，嵌入式快閃存儲器實際上會成為昂貴的選擇。

因此，業界需要一個新的解決方案，STT-MRAM恰好為2xnm及以上的嵌入式存儲器應用做好準備。先作為補充技術，進一步替代嵌入式DRAM和SRAM，也是MRAM的巨大機會，將為處理器添加持久性功能。

無論如何，MRAM可能會因為幾個因素，成為一個大市場或利基解決方案，包括多個供應商和一系列的應用推動STT-MRAM發展，此外，主要代工廠投入STT-MRAM也可能會推動規模經濟化，降低技術成本。

但仍有一些挑戰，不是所有晶圓代工客戶都需要22nm以上的芯片，此外，STT-MRAM是一種相對較新的技術，客戶可能需要花點時間整合，各種制造上的挑戰也必須解決。不過，4大代工廠都決定為嵌入式客戶投入開發作業，三星有自己的IP，其他代工廠正在與各種合作伙伴合作。

除了Everspin和代工廠之外，英特爾(Intel)、美光(Micron)和東芝與SK海力士都投入MRAM研發，同時，幾家新創公司如Avalanche、Crocus、Spin Transfer Technologies都正在開發。對大多數企業而言，生產MRAM說起來比做容易，因為MRAM涉及開發新材料、集成方案和設備，與傳統存儲器相比，生產流程也不同。

在晶圓廠的進展中，STT-MRAM目前有2個用例，第一個是替換嵌入式快閃存儲器，另一個是嵌入式SRAM，業界一致認為，STT-MRAM是一個很好的嵌入式解決方案。多年來，業界一直在探索STT-MRAM的發展，目標是取代DRAM，現在還在努力探索中。

而STT-MRAM仍然需要證明它可以在汽車的高溫下滿足可靠性和資料儲存規格。在微控制器(MCU)市場的嵌入式存儲器需求也在增溫，如NOR Flash用于代碼儲存和其他功能。MCU制程從40nm進展到28nm，NOR Flash也是，然而，在2xnm節點，NOR Flash開始遭受寫入速度慢和耐久性問題，且因為需要更多光罩步驟使成本更高。

超過28nm以后，NOR Flash就難以擴展，所以人們正在尋找替代品，但是用新的存儲器類型替換NOR Flash不是一項簡單的任務，新型存儲器類型的成長關鍵要求是性能、可靠性、密度和成本。

現在，STT-MRAM似乎已經在2xnm節點的嵌入式市場準備就緒，其他存儲器類型仍然停留在研發階段。報導指出，隨著產業正在開發STT-MRAM，同時也專注準備MRAM研發，包括SOT-MRAM磁存儲器，將作為基于SRAM技術的緩存替代品。