關注半導體產業發展的朋友們，對于中芯國際一定不陌生。作為大陸半導體制造的代表性企業，中芯國際在取得2017年（第三十一屆）中國電子信息百強企業第21名后，在近日公布的《財富》中國500強榜單中排在了第314名的位置。但這家獲得如此多肯定的企業卻在近日被指與一線大廠漸行漸遠，那么中芯國際的實力究竟如何呢？
中芯國際是世界領先的集成電路晶圓代工企業之一，也是大陸規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業，提供0.35微米到28納米不同技術節點的晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位于上海，擁有全球化的制造和服務基地。在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm晶圓廠；在北京建有一座300mm晶圓廠和一座控股的300mm先進制程晶圓廠；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠；在江陰有一座控股的300mm凸塊加工合資廠；在意大利有一座控股的200mm晶圓廠。
被指與一線大廠漸行漸遠
中芯國際雖位居全球第4大專業晶圓代工廠（次于臺積電、格羅方德與聯電），也扮演大陸半導體的要角；但中芯從2000年成立以來，幾乎大部分的時間都在賠錢，而臺灣半導體教父張忠謀17年前曾表示，中芯不僅不會威脅到臺積電，且會經營的很辛苦，沒想到張教父一語成讖，然傾官方之力扶植的中芯為何連年虧損，與一線大廠漸行漸遠？
中芯被視為大陸半導體的樣板企業，17年過去了，營運之路卻愈走愈艱困，財訊雙周刊報導，歸結中芯的三大敗因，一是，創辦人張汝京是建廠高手，并非經營高手，對生產良率與技術研發經驗不足，只好全盤抄襲臺積電，成為日后中芯專利訴訟大敗的主因。
再者，大股東各有盤算，中芯內部有“臺灣系、海歸系、本土系”三大派系，彼此明爭暗斗，導致經營團隊不斷更迭，不過，讓中芯受傷最重的，是廠區分散，生產線從上海擴張至北京、武漢、深圳等地，由于各省公公婆婆一大堆，難以形成中芯的產業聚落。
導報引述熟悉內情的臺商透露，身為一家企業執行長（CEO）無法以理性決策做判斷，卻要奔走于地方政府進行協調，也是中芯的一大敗因。
然而中芯國際的實力真是如此嗎？
第一季度營收7.9億美元
5月10日，中芯國際發布了2017年第一季度報告，其銷售額約7.93億美元，同比增長25.0%；中芯國際應占利潤為6980萬美元，去年同期為6140萬美元，同比增長約13.6%。
第一季度業績：
營收約7.93億美元，較去年第四季度8.15億美元減少2.7%，較去年同期6.34億美元增長25.0%；
毛利潤約2.21億美元，而去年第四季度約2.46億美元，去年同期約1.54億美元；
毛利率為27.8%，去年第四季度為30.2%，去年同期為24.2%；
歸屬于中芯國際的凈利潤為6980萬美元，去年第四季度約1.04億美元，去年同期為6140萬美元。
第二季度業績預期：
中芯國際預計，第二財季營收環比將下降3%至6%；
毛利率將達到25%至28%；
基于非美國通用會計準則，運營開支將達到1.79億美元至1.84億美元；
來自控股子公司的非控制性權益將達到600萬美元至800萬美元。
7月20日，中芯國際宣布，將于北京時間2017年8月9日星期三發布2017財年第二季度財報。
02專項支持下，取得突破性進展
在02專項支持下，中芯國際產能和技術研發取得突破性進展，成套工藝水平由2008年的110納米提升到28納米，完成65-45-28納米成套工藝研發并實現量產：65/55納米產品累計銷售超過180億元，40/45納米產品累計銷售超過100億元，2015年32/28納米工藝開始量產高通驍龍系列產品，產品累計銷售超過180億元，2016年28納米高K金屬柵工藝（HKMG）成功流片，并經聯芯4G移動終端AP產品認證；14納米研發獲得突破；2017年聯合中科院微電子所等單位開始了“7-5納米集成電路先導工藝與系統集成新技術”的研發。
中芯國際作為行業龍頭企業，不僅全面遵照“02專項用戶考核制”，為國產材料 、裝備及零部件提供公共驗證平臺，更根據集成電路大規模生產的特點和要求，積極主動協助設備材料企業開展技術攻關，帶動國產材料、裝備及零部件驗證和應用，取得了一大批經得起市場檢驗可以參與國際競爭的優秀成果產品。
公共驗證平臺覆蓋350納米到28納米所有制程。12英寸廠成功驗證12個設備種類，占設備分類數的13%，中芯國際北方廠12寸國產設備量產突破1000萬片。
材料方面，中芯國際下屬8英寸和12英寸廠都有國產材料驗證成功并上線使用，截止2016年共有60個國產材料驗證成功并采購使用，全部材料國產化比率達13%。
通過專項立項整體布局，中芯國際與國內設計企業聯系愈加緊密，先后為20余家設計單位提供65-28納米產品開發支持，海思、展銳、中興微、大唐聯芯、瑞芯微等加大國內投片比例。2016年國內設計公司營收占公司總收的將近50%，并就14納米技術節點與中芯國際開展密切合作。
先進工藝研發過程中，中芯國際堅持走產學研合作創新道路，歷時超過7年，經65納米至7納米五個工藝代，合作創新單位包括國內集成電路領域最優秀的研究所和高校。
中芯國際各制程技術節點的詳細情況
先進技術產品
28納米：中芯國際的28納米技術包含傳統的多晶硅（PolySiON）和后閘極的高介電常數金屬閘極（HKMG）制程，于2013年第四季度推出，2015年良率方面取得了重大突破，成功為客戶制造出低功耗、高性能的手機處理器芯片。2015年第四季度，中芯國際宣布28納米進入量產階段并開始貢獻營收。
45/40納米：中芯國際是大陸第一家提供40納米技術的晶圓廠，其40納米標準邏輯制程提供低功耗（LL）器件平臺，核心組件電壓1.1V，涵蓋三種不同閾值電壓，以及輸入/輸出組件1.8V、2.5V和3.3V電壓以滿足不同的設計要求。40納米邏輯制程結合了最先進的浸入式光刻技術、應力技術、超淺結技術以及超低介電常數金屬間介質。
65/55納米：中芯國際的65/55納米工藝制程平臺可以廣泛支持包含邏輯、混合信號、射頻、BCD、NOR閃存、eFlash和CIS在內的多種IC產品。2014年，中芯國際成為全球第一家可以為智能卡和SIM卡提供55納米嵌入式閃存（eFlash）解決方案的專業晶圓代工廠，并且在2014年第四季度實現量產。
成熟技術產品
90納米：中芯國際的300毫米晶圓廠已有多個90納米工藝的產品進入大規模的生產，中芯國際擁有豐富的制程開發經驗，可向全球客戶提供先進的90納米技術。中芯國際的90納米制程采用Low-k材質的銅互連技術，生產高性能的元器件。利用先進的12英寸生產線進行90納米工藝的生產能確保成本的優化，為客戶未來技術的提升提供附加的資源。
0.13-0.11微米：中芯國際的0.13微米制程采用全銅制程技術，可在達到高性能設備的同時，實現成本的優化。0.13微米技術工藝使用8層金屬層寬度僅為0.08微米的門電路，能夠制作核心電壓為1.2V以及輸入/輸出電壓為2.5V或3.3V的組件。中芯國際的低電壓和低漏電制程產品已在廣泛生產中。
0.18微米：中芯國際0.18微米工藝技術包括邏輯、混合信號/射頻、高壓、電可擦除只讀存儲器以及一次可編程技術等，這些技術均有廣泛的單元庫和智能模塊支持。中芯國際在0.18微米技術節點上可提供低成本、經驗證的智能卡、消費電子產品以及其他廣泛的應用類產品，也在嵌入式內存、混合信號及CMOS射頻電路等應用方面為客戶提供了靈活性的解決方案及模擬。
0.35-0.25微米：中芯國際提供0.25微米邏輯電路以及3.3V/5V應用的混合信號/射頻CMOS和成本優化及通過驗證的0.35微米工藝解決方案，可應用于智能卡、消費性產品以及其他多個領域。
SPOCULL特殊工藝：SPOCULLTM是中芯國際的重要特殊工藝。SPOCULL代表SMICPoly Contact for Ultra Low Leakage。SPOCULLTM包括95納米高壓工藝和95納米超低功耗工藝兩個技術平臺，分別針對高性能模擬/射頻產品和超低功耗的微控制芯片。95納米高壓工藝主要用于顯示驅動器IC，95納米超低功耗工藝用于物聯網相關領域。