中芯國際近兩年發(fā)展迅猛，其在2016年營收更是達到29億美元，同比上升30.3%，增長強勁。

2016年，中芯國際通過對市場的精準判斷，不斷擴大投資布局。入股長電科技、收購意大利LFoundry、分別在上海深圳和天津啟動新12英寸生產(chǎn)線和8英寸生產(chǎn)線產(chǎn)能擴充項目……這一些列動都為中芯國際的未來發(fā)展夯實了基礎。

那么，作為中國大陸最大的晶圓代工廠商，中芯國際在制程技術(shù)上到底有哪些布局和產(chǎn)品組合呢？

下表是中芯國際各個技術(shù)節(jié)點的技術(shù)布局，從表中可以看出中芯國際能夠提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術(shù)服務。

事實上，中芯國際是世界上為數(shù)不多的幾個可以提供完整的從成熟制程到先進制程的晶圓制造解決方案的純晶圓代工廠之一。中芯國際0.35微米到28納米工藝制程都已進入量產(chǎn)，而且14納米FinFET工藝正在研發(fā)中。

下面是中芯國際各制程技術(shù)節(jié)點的詳細情況：

先進技術(shù)產(chǎn)品

28納米：中芯國際的28納米技術(shù)包含傳統(tǒng)的多晶硅（PolySiON）和后閘極的高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）制程，于2013年第四季度推出，2015年良率方面取得了重大突破，成功為客戶制造出低功耗、高性能的手機處理器芯片。2015年第四季度，中芯國際宣布28納米進入量產(chǎn)階段并開始貢獻營收。

45/40納米：中芯國際是中國大陸第一家提供40納米技術(shù)的晶圓廠，其40納米標準邏輯制程提供低功耗（LL）器件平臺，核心組件電壓1.1V，涵蓋三種不同閾值電壓，以及輸入/輸出組件1.8V、2.5V和3.3V電壓以滿足不同的設計要求。40納米邏輯制程結(jié)合了最先進的浸入式光刻技術(shù)、應力技術(shù)、超淺結(jié)技術(shù)以及超低介電常數(shù)金屬間介質(zhì)。

65/55納米：中芯國際的65/55納米工藝制程平臺可以廣泛支持包含邏輯、混合信號、射頻、BCD、NOR閃存、eFlash和CIS在內(nèi)的多種IC產(chǎn)品。2014年，中芯國際成為全球第一家可以為智能卡和SIM卡提供55納米嵌入式閃存（eFlash）解決方案的專業(yè)晶圓代工廠，并且在2014年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)。

成熟技術(shù)產(chǎn)品

90納米：中芯國際的300毫米晶圓廠已有多個90納米工藝的產(chǎn)品進入大規(guī)模的生產(chǎn)，中芯國際擁有豐富的制程開發(fā)經(jīng)驗，可向全球客戶提供先進的90納米技術(shù)。中芯國際的90納米制程采用Low-k材質(zhì)的銅互連技術(shù)，生產(chǎn)高性能的元器件。利用先進的12英寸生產(chǎn)線進行90納米工藝的生產(chǎn)能確保成本的優(yōu)化，為客戶未來技術(shù)的提升提供附加的資源。

0.13-0.11微米：中芯國際的0.13微米制程采用全銅制程技術(shù)，可在達到高性能設備的同時，實現(xiàn)成本的優(yōu)化。0.13微米技術(shù)工藝使用8層金屬層寬度僅為0.08微米的門電路，能夠制作核心電壓為1.2V以及輸入/輸出電壓為2.5V或3.3V的組件。中芯國際的低電壓和低漏電制程產(chǎn)品已在廣泛生產(chǎn)中。

0.18微米：中芯國際0.18微米工藝技術(shù)包括邏輯、混合信號/射頻、高壓、電可擦除只讀存儲器以及一次可編程技術(shù)等，這些技術(shù)均有廣泛的單元庫和智能模塊支持。中芯國際在0.18微米技術(shù)節(jié)點上可提供低成本、經(jīng)驗證的智能卡、消費電子產(chǎn)品以及其它廣泛的應用類產(chǎn)品，也在嵌入式內(nèi)存、混合信號及CMOS射頻電路等應用方面為客戶提供了靈活性的解決方案及模擬。

0.35-0.25微米：中芯國際提供0.25微米邏輯電路以及3.3V/5V應用的混合信號/射頻CMOS和成本優(yōu)化及通過驗證的0.35微米工藝解決方案，可應用于智能卡、消費性產(chǎn)品以及其它多個領域。

SPOCULL特殊工藝：SPOCULLTM是中芯國際的重要特殊工藝。SPOCULL代表SMICPoly Contact for Ultra Low Leakage。SPOCULLTM包括95納米高壓工藝和95納米超低功耗工藝兩個技術(shù)平臺，分別針對高性能模擬/射頻產(chǎn)品和超低功耗的微控制芯片。95納米高壓工藝主要用于顯示驅(qū)動器IC，95納米超低功耗工藝用于物聯(lián)網(wǎng)相關領域。