在極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝專項(xiàng)(簡(jiǎn)稱“集成電路專項(xiàng)”)以及其他國家相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策的推動(dòng)下，近年來我國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)取得較快進(jìn)步，部分關(guān)鍵設(shè)備從無到有，實(shí)現(xiàn)了與國際先進(jìn)技術(shù)水平的同步發(fā)展。同時(shí)，部分國產(chǎn)設(shè)備進(jìn)入大生產(chǎn)線，在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程上取得突破。在此情況下，如何讓產(chǎn)品在推向市場(chǎng)的過程中獲得合理的利潤(rùn)，以利持續(xù)發(fā)展，成為國產(chǎn)設(shè)備廠商關(guān)注的重點(diǎn)。
半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率提升存挑戰(zhàn)
中國半導(dǎo)體行業(yè)要想實(shí)現(xiàn)從跟隨到引領(lǐng)的跨越，設(shè)備產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)是重要環(huán)節(jié)之一。但是半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)卻存在技術(shù)難度大，進(jìn)入門檻高的特點(diǎn)。目前為止，我國半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域仍然存在著國產(chǎn)化率較低的問題。
對(duì)此，半導(dǎo)體專家莫大康指出，上世紀(jì)80年代末期開始，半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)開始把工藝能力整合在設(shè)備中，讓用戶買到設(shè)備就能保證使用，并且達(dá)到工藝要求。因此有“一代器件，一代設(shè)備”之說。這是半導(dǎo)體設(shè)備如此昂貴的原因，也是國內(nèi)企業(yè)面對(duì)的極大挑戰(zhàn)。
此外，一臺(tái)設(shè)備從研發(fā)、樣機(jī)開始，必須經(jīng)過大量硅片通過等工藝試驗(yàn)，才能發(fā)現(xiàn)問題，并進(jìn)行改型。這樣的過程要重復(fù)多次，改型多次后才能最后定型。另外，出廠前還要經(jīng)過馬拉松試驗(yàn)，測(cè)算平均無故障時(shí)間等。
這對(duì)實(shí)力尚弱的國產(chǎn)設(shè)備廠商來說，也是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
SEMI中國區(qū)總裁居龍也表示：“目前中國設(shè)備正在取得從0到1的突破，但是要認(rèn)識(shí)到這一進(jìn)程的長(zhǎng)期性?！?/p>
《中國制造2025》對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化提出了明確要求：在2020年之前，90～32納米工藝設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到50%，實(shí)現(xiàn)90納米光刻機(jī)國產(chǎn)化，封測(cè)關(guān)鍵設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到50%。在2025年之前，20～14納米工藝設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到30%，實(shí)現(xiàn)浸沒式光刻機(jī)國產(chǎn)化。
“集成電路專項(xiàng)”加速產(chǎn)業(yè)整體布局
盡管存在挑戰(zhàn)，經(jīng)過多年來的不斷培育，特別是在國家“02專項(xiàng)”等政策的扶持下，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)還是取得了一定進(jìn)步。日前，科技部會(huì)同北京市和上海市人民政府組織召開了國家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”成果發(fā)布會(huì)。在過去的九年里，集成電路專項(xiàng)對(duì)中國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)整體布局，既有全面填空，又有重點(diǎn)突破。
根據(jù)成果發(fā)布，北方華創(chuàng)通過近九年的科技攻關(guān)，完成了刻蝕機(jī)、磁控濺射、氧化爐、低壓化學(xué)氣相沉積、清洗機(jī)、原子層沉積等集成電路設(shè)備90/55/40/28納米工藝驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。公司的刻蝕機(jī)等三大類集成電路設(shè)備進(jìn)入14納米工藝驗(yàn)證階段，首次實(shí)現(xiàn)與國外設(shè)備同步驗(yàn)證。在集成電路專項(xiàng)的支持下，12英寸集成電路設(shè)備實(shí)現(xiàn)從無到有，并實(shí)現(xiàn)批量銷售，成為公司的主要收入來源之一。中微半導(dǎo)體先后承擔(dān)并圓滿完成65～45納米、32～22納米、22～14納米等三項(xiàng)等離子介質(zhì)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的集成電路專項(xiàng)任務(wù)，使我國在該項(xiàng)設(shè)備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國際先進(jìn)水平同步。中微半導(dǎo)體已經(jīng)有460多個(gè)介質(zhì)刻蝕反應(yīng)臺(tái)在海內(nèi)外27條生產(chǎn)線上高質(zhì)穩(wěn)定地生產(chǎn)了4000多萬片晶圓。
根據(jù)中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春的介紹，在關(guān)鍵裝備和材料方面，我國實(shí)現(xiàn)了從無到有的跨越，大部分產(chǎn)品水平達(dá)到28納米，部分產(chǎn)品進(jìn)入14納米，被國外生產(chǎn)線采用;國產(chǎn)設(shè)備驗(yàn)證和應(yīng)用整體累積流片突破150萬片，銷售數(shù)量超過265臺(tái)。從工藝分布上看，國產(chǎn)設(shè)備橫跨了12英寸集成電路生產(chǎn)線90～14納米各個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵性工藝大類，并基本與國內(nèi)14nm先進(jìn)工藝研發(fā)同步進(jìn)行驗(yàn)證。
用產(chǎn)品差異化取代低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)
在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程取得一定突破的情況下，如何讓發(fā)展來之不易的國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)得到持續(xù)發(fā)展，逐漸成為國產(chǎn)設(shè)備業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。
其中，最核心的一個(gè)問題就是產(chǎn)品的價(jià)格問題。目前，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商存在低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)的狀況，一些用戶企業(yè)在面對(duì)國產(chǎn)設(shè)備廠商時(shí)，也會(huì)盡量壓低價(jià)格，國產(chǎn)設(shè)備仿佛給人留下的印象就是低價(jià)。
對(duì)此，盛美半導(dǎo)體董事長(zhǎng)兼CEO王暉指出，半導(dǎo)體設(shè)備制造是一個(gè)門檻很高的行業(yè)，不僅技術(shù)高度密集，廠商需要掌握嚴(yán)密的IP，而且產(chǎn)品售出之后還有大量后續(xù)服務(wù)需要做好。
如果售價(jià)被壓得過低，勢(shì)必會(huì)大幅壓低設(shè)備企業(yè)的利潤(rùn)空間。短期內(nèi)用戶企業(yè)雖然可能獲利，但是勢(shì)必會(huì)影響到后續(xù)服務(wù)的進(jìn)行。而且，設(shè)備行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)十分激烈，企業(yè)必須保證對(duì)每一代技術(shù)的持續(xù)跟進(jìn)，才能保持技術(shù)的領(lǐng)先性。這就需要企業(yè)持續(xù)進(jìn)行投入。然而，如果獲利過低，將導(dǎo)致企業(yè)無力跟進(jìn)技術(shù)的進(jìn)步。
王暉認(rèn)為，對(duì)于國產(chǎn)設(shè)備業(yè)者來說，最佳的解決之道就是做產(chǎn)品的差異化技術(shù)開發(fā)，而不是僅憑低價(jià)格來爭(zhēng)取訂單。
“面對(duì)同一個(gè)應(yīng)用，同一個(gè)技術(shù)挑戰(zhàn)，你要比大公司做得好，就要尋求差異化的解決方法，否則很難超過大公司?！彼f。
在王暉看來，從技術(shù)創(chuàng)新的角度，小公司未必會(huì)輸給大公司。反而因?yàn)樾」揪邆潇`活性及高效率，更容易做出突破性的技術(shù)。以點(diǎn)帶面，從點(diǎn)上取得突破，方是國產(chǎn)設(shè)備企業(yè)長(zhǎng)期持續(xù)的成長(zhǎng)之道。